Cамопроизвольное образование включений фазы Cr2S3 в двумерном слоистом полупроводнике CrSBr
Министерство науки и образования РФ, Тематическая карта Федерального исследовательского центра проблем химической физики и медицинской химии РАН, 124013100858-3
Гусенков Д.Л.
1,2, Валеев Р.А.
3, Пискорский В.П.
3, Чернов А.И.
4, Моргунов Р.Б.
1,3,21Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН, Черноголовка, Россия
2ФГАОУ ВО Первый МГМУ им. И.М. Сеченова Минздрава России (Сеченовский Университет), Москва, Россия
3Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов научно-исследовательского центра "Курчатовский институт", Москва, Россия
4Центр фотоники и двумерных материалов, Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Россия
Email: gusenkov_d_l@student.sechenov.ru, spintronics2022@yandex.ru
Поступила в редакцию: 20 января 2025 г.
В окончательной редакции: 20 января 2025 г.
Принята к печати: 21 января 2025 г.
Выставление онлайн: 22 марта 2025 г.
Вариации физических свойств двумерных полупроводников из-за различных условий роста и случайного изменения стехиометрии являются проблемой для их использования. Проанализированы химический состав и физические свойства двух коммерчески выращенных образцов CrSBr и обнаружены различия в магнитных и оптических свойствах, которые могут быть объяснены неоднородностью кристаллов. В одном из образцов наблюдался сильный недостаток брома, что привело к сдвигу критической температуры перехода в метамагнитное состояние с 132 K в совершенном образце до 120 K в нестехиометрическом образце. Критическая температура 120 K, а также локальные спектры рентгеновской дифракции согласуются с параметрами, характерными для фазы Cr2S3, которая сосуществует с первичной фазой CrSBr. Ключевые слова: двумерные полупроводники, стехиометрия, магнитный переход, спектроскопия КРС, рентгено-флюоресцентный анализ, метамагнетизм.
- S.N. Kajale, J. Hanna, K. Jang, D. Sarkar. Nano Res. 17, 743 (2024)
- F. Long, M. Ghorbani-Asl, K. Mosina, Y. Li, K. Lin, F. Ganss, R. Hubner, Z. Sofer, F. Dirnberger, A. Kamra, A.V. Krasheninnikov, S. Prucnal, M. Helm, Sh. Zhou. Nano Lett. 23, 18, 8468 (2023)
- R. Araujo, J. Zarpellon, D. Mosca. J. Phys. D: Appl. Phys. 55, 283003 (2022)
- K. Bender, K. Dietz, H. Endres, H.W. Helberg, I. Hennig, H.J. Keller, D. Schweitzer. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 107, 1-2, 45 (1984)
- Daniel B. Straus, Cherie R. Kagan. Annual Review of Physical Chemistry 73, 403--428 (2022)
- M. Velicky, P.S. Toth, A.M. Rakowski, A.P. Rooney, A. Kozikov, C.R. Woods, A. Mishchenko, L. Fumagalli, J. Yin, V. Zolyomi, T. Georgiou, S.J. Haigh, K.S. Novoselov, R.A.W. Dryfe. Nat. Commun. 8, 14410 (2017).
- K.S. Kim, J. Kwon, H. Ryu, Ch. Kim, J.Ch. Kim, E.-K. Lee, D. Lee, S. Seo, N.M. Han, J.W. Suh, J. Kim, M.K. Song, S. Lee, M. Seol, J. Kim. Nat. Nanotechnol. 19, 895 (2024).
- K. Nandan, A. Agarwal, S. Bhowmick, Y.S. Chauhan. Front. Electron. 4, 1277927 (2023)
- S. Zhou, R. Wang, J. Han, D. Wang, H. Li, L. Gan, T. Zhai. Adv. Funct. Mater. 29, 1805880 (2019)
- W. Su, A. Kuklin, L.H. Jin, D. Engelgardt, H. Zhang, H. Angstrem gren, Y. Zhang. Adv. Sci. 11, 2402875 (2024)
- E.J. Telford, D.G. Chica, M.E. Ziebel, K. Xie, N.S. Manganaro, C. Huang, J. Cox, A.H. Dismukes, X. Zhu, J.P.S. Walsh, T. Cao, C.R. Dean, X. Roy. Adv. Phys. Res. 2, 2300036 (2023)
- A. Gayen, G.H. An, I.N. Rahman, M. Choi, Q. Mustaghfiroh, P.V. Gaikwad, E.S.H. Kang, K.-H. Kim, Ch. Liu, K.W. Kim, J. Bang, H.S. Lee, D.-H. Kim. Nanoscale 16, 17452 (2024)
- K. Torres, A. Kuc, L. Maschio, T. Pham, K. Reidy, L. Dekanovsky, Z. Sofer, F. Ross, J. Klein. Adv. Funct. Mater. 33, 2211366 (2022)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
