Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2025, выпуск 3 » Статья стр. 471
<<<>>>
Формирование электроиндуцированных приповерхностных слоев в полярном направлении кристаллов триглицинсульфата
The work was carried out whithin the state assignment of NRC "Kurchatov Institute"
Аккуратов В.И. 1, Куликов А.Г. 1, Писаревский Ю.В. 1, Иванова Е.С. 1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: def_93@list.ru, ontonic@gmail.com, yupisarev@yandex.ru, ivanova.el.ser@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 января 2025 г.
В окончательной редакции: 11 марта 2025 г.
Принята к печати: 12 марта 2025 г.
Выставление онлайн: 23 апреля 2025 г.
PDF версия
Методом рентгеновской топографии впервые получены изображения слоев пространственного заряда, формируемых в приповерхностных областях сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфата собственным и внешним электрическими полями вдоль полярного направления [010]. Указанные слои проявляются в увеличении интегральной интенсивности рентгеновского излучения, что указывает на формирование экстинкционного контраста для дифракционного отражения 060 с гораздо менее выраженными изменениями для 400. При повышении напряженности внешнего поля до 150 V/mm наблюдается рост интенсивности в данных областях и отсутствие изменений в центре кристалла, что указывает на компенсацию электрического поля в объеме за счет группировки свободных носителей заряда в слое толщиной порядка 1 mm. Эффект зависит от полярности и обратим при снятии внешнего электрического поля. Приложение поля вдоль неполярного направления [100] не вызывает изменений на топограммах. Ключевые слова: приповерхностный заряженный слой, рентгеновская дифрактометрия, рентгеновская топография, сегнетоэлектрики, внешнее электрическое поле, движение носителей заряда
  1. W. Kanzig. Phys. Rev. 98, 2, 549 (1955). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRev.98.549
  2. B.B. Tian, Y.Liu, L.F. Chen, J.L.Wang, S. Sun, H. Shen, J.L. Sun, G.L. Yuan, S. Fusil, V. Garcia, B. Dkhil, X.J. Meng, J.H. Chu. Sci. Rep. 5, 1, 18297 (2015). DOI: https://doi.org/10.1038/srep18297
  3. Д.А. Золотов, А.В. Бузмаков, Д.А. Елфимов, В.Е. Асадчиков, Ф.Н. Чуховский. Кристаллография 62, 1, 12 (2017)
  4. А.Г. Куликов, Н.В. Марченков, А.Е. Благов, К.Г. Кожемякин, М.Ю. Насонов, С.С. Пашков, Ю.В. Писаревский, Г.Н. Черпухина. Акустический журнал 62, 6, 675 (2016)
  5. Н.И Снегирёв, А.Г. Куликов, И.С. Любутин, А.Ю. Серегин, С.В. Ягупов, М.Б. Стругацкий. Письма в ЖЭТФ 119, 6, 452 (2024)
  6. Э.С. Ибрагимов, А.Г. Куликов, Н.В. Марченков, Ю.В. Писаревский, А.Е. Благов, М.В. Ковальчук. ФТТ 64, 11, 1760 (2022). DOI:
  7. А.Г. Куликов, А.Е. Благов, Н.В. Марченков, В.А. Ломонов, А.В. Виноградов, Ю.В. Писаревский, М.В. Ковальчук. Письма в ЖЭТФ 107, 10, 679 (2018)
  8. J. Hanzig, M. Zschornak, F. Hanzig, E. Mehner, H. Stocker, B. Abendroth, C. Roder, A. Talkenberger, G. Schreiber, D. Rafaja, S. Gemming, D.C. Meyer. Phys. Rev. B. 88, 024104 (2013). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.024104
  9. V. Akkuratov, A. Kulikov, Yu. Pisarevsky, A. Blagov, M. Kovalchuk. J. Appl. Crystallogr. 56, 1, (2023). DOI: 10.1107/S1600576722012183
  10. В.В. Лидер. ФТТ 63, 165 (2021). DOI: 10.21883/FTT.2021.02.50461.212
  11. D. Bowen, B. Tanner. High resolution X-ray diffractometry and topography. CRC press. (1998). 252 с
  12. C. Bowen, J. Taylor, E. Leboulbar, D. Zabek, A. Chauhan, R. Vaish. Energy Environ. Scie. 7, 10 (2014). DOI: https://doi.org/10.1039/C4EE01759E
  13. R.W. Whatmore. Rep. Prog. Phys. 49, 12 (1986). DOI: 10.1088/0034-4885/49/12/002
  14. S. Fletcher, E. Keve, A. Skapski. Ferroelectrics 14, 775 (1976). DOI: https://doi.org/10.1080/00150197608237797
  15. M. Kay, R. Kleinberg. Ferroelectrics 5, 45 (1973). DOI: https://doi.org/10.1080/00150197308235778
  16. N. Nakatani. Jpn. J. Appl. Phys. 18, 3, 491 (1979). DOI:
  17. V.P. Konstantinova, I.M. Sil'vestrova, V.A. Yurin, Kristallografiya 4, 125 (1959). DOI: 10.1143/JJAP.18.491
  18. R. Gainutdinov, E. Ivanova, E. Petrzhik, A. Lashkova, T. Volk. JETP Letters 106, 97 (2017). DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017140053
  19. В. Константинова, И. Сильвестрова, К. Александров. Кристаллография 4, 69 (1959)
  20. C.J. Raj, S. Kundu, K.B.R. Varma. Appl. Phys. A 105, 1025 (2011). DOI: https://doi.org/10.1007/s00339-011-6541-7
  21. S. Hoshino, T. Mitsui, F. Jona, R. Pepinsky. Phys. Rev. 107, 5, 1255 (1957). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRev.107.1255
  22. S. Triebwasser. IBM J. Res. Dev. 2, 3, 212 (1958). DOI: 10.1147/rd.23.0212
  23. W. Osak, K. Tkacz-Smiech, C. Strzalkowska. Ferroelectrics 158, 1, 331 (1994). DOI: https://doi.org/10.1080/00150199408216038
  24. W. Osak. Z. Naturforsch. A 52, 621 (1997). DOI: https://doi.org/10.1515/zna-1997-8-913
  25. Сайт онлайн программы "X-ray Server" https://x-server.gmca.aps.anl.gov/x0h.html
  26. R.B. Lal, A.K. Batra. Ferroelectrics 142, 51 (1993). DOI: 10.1080/00150199308237884
  27. A. Izrael, J.F. Petroff, A. Authier, Z. Malek. J. Cryst. Growth 16, 2, 131 (1972). DOI: 10.1016/0022-0248(72)90104-2
  28. A. Authier. Adv. X-ray Anal. 10, 9 (1966)
  29. J. Hanzig, M. Zschornak, E. Mehner, F. Hanzig, W. Munchgesang, T. Leisegang, H. Stocker, D.C. Meyer. J. Phys. Condens. Matter 28, 225001 (2016). DOI: 10.1088/0953-8984/28/22/225001
  30. C. Ludt, E. Ovchinnikova, A. Kulikov, D. Novikov, S. Gemming, D.C. Meyer, M. Zschornak. Crystals 11, 693 (2021). DOI: 10.3390/cryst11060693

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme