Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.
Рассмотрены одноэлектронные состояния в квантованном цилиндрическом слое при наличии умеренного однородного электрического поля, когда энергия, сообщаемая частице со стороны поля, становится сравнимой с энергией ее ротационного движения. Получен явный вид соответствующего энергeтического спектра и огибающих волновых функций носителей заряда в слое. Рассчитана полоса электрооптического поглощения слабой электромагнитной волны. С увеличением поля интенсивность поглощения увеличивается. Внешнее поле приводит к явной зависимости поглощения от эффективных масс носителей заряда. С увеличением разности между их значениями интенсивность поглощения убывает. Наблюдается также эффективное уширение запрещенной зоны, которое определяется геометрическими размерами образца и величиной внешнего поля.
- M. Law, J. Goldberger, P. Yang, Ann. Rev. Mater. Res. 34, 83 (2004); J. Martine-Duart, R.J. Martin-Palmer, F. Agullo-Rueda. Nanotechnology for microelectronics and optoelectronics, Cambridge University Press, N.Y. (2005). 304 p.
- G.Shen, Y. Bando, D. Golberg, Int. J. Nanotechnol. 4, 730 (2007); Ch. Bae, H. Yoo, S. Kim, K. Lee, J. Kim, M.A. Sung, H. Shin. Chem. Mater. 20, 756 (2008)
- Li Xiuling. J. Phys. D 41, 193 001 (2008)
- J. Goldberger, R. He, Y. Zhang, S. Lee, H. Yan, H.-J. Choi, P. Yang. Nature 422, 599 (2003); J. Goldberger, R. Fan, P. Yang. Acc. Chem. Res. 39, 239 , (2006); J.M. de Almeida. Phys. Lett. A 374, 877 (2010); S. Adachi. Properties of semiconductors alloys. Group-IV. III--V and II--VI semiconductors. Wiley (2009). 244 p
- Н.В. Ткач, И.В. Пронишин, А.М. Маханец. ФТТ 40, 557 (1998)
- Н.В. Ткач, В.А. Головацкий. ФТТ 43, 350 (2001)
- R.N. Musin, X.-Q. Wang. Phys. Rev. B 74, 165 308 (2006); L.E. Ramos, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Phys. Rev. B 72, 045 351 (2005)
- N. Malkova, C.Z. Ning. Phys. Rev. B 75, 155 407 (2007)
- V.A. Harutyunyan, K.S. Aramjan, H.Sh. Petrosjan. Physica E 21, 111 (2004)
- В.А. Арутюнян. ФТП 39, 839 (2005)
- V.A. Harutyunyan. Appl. Surf. Sci. 256, 455 (2009)
- V.A. Harutyunyan. Physica E 41, 695 (2009)
- В.А. Арутюнян. ФТТ 52, 1621 (2010)
- V.A. Harutyunyan. J. Appl. Phys. 109, 014 325 (2011)
- V.A. Harutyunyan. Physica E 39, 37 (2007)
- J.W. Haus, H.S. Zhou, I. Honma, H. Komiyama. Phys. Rev. B 47, 1359 (1993)
- D. Schooss, A. Mews, A. Eychmuller, H. Weller. Phys. Rev. B 49, 17 072 (1994)
- В.Г. Коган, В.З. Кресин. ФТТ 11, 3230 (1969)
- В. Смайт. Электростатика и электродинамика. ИЛ, М. (1954). 605 с
- Э. Камке. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. Наука, M. (1971). 576 с
- Г. Бейтмен, А. Эрдейи. Высшие трансцендентные функции. Наука, М. (1967). Т. 3. 300 c
- А.П. Прудников, Ю.А. Брычков, О.И. Маричев. Интегралы и ряды. Наука, М. (1981). Т. 1. 800 c
- H. Haug, S. Koch. Quantum theory of optical and electronic properties of semiconductors. 4th ed. World (2006). 465 p.; G. Bastard. Wave mechanics applied tо semiconductor heterostructures. Les Editions de Physique, Les Ulis (1998). 327 p
- O. Stier. Electronic and optical properties of quantum dots and wires. Wissenschaft \& Technik Verlag, Berlin (2001). 428 p.; P. Harrison. Quantum wells, wires and dots. Theoretical and computational Physics. Wiley (2005). 564 p
- Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках. Наука, М. (1985). 320 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук