Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рост колончатых микрокристаллов GaN комбинированным PA-MBE/HVPE методом
Российский научный фонд, 25-29-00761
Корякин А.А.
1, Гридчин В.О.
1, Шарофидинов Ш.Ш.
2, Дворецкая Л.Н.
1, Штром И.В.
3, Серов А.Ю.
4, Котляр К.П.
1, Лендяшова В.В.
1, Мухин И.С.
1, Цырлин Г.Э.
1,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: koryakinaa@spbau.ru
Поступила в редакцию: 16 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 8 июня 2025 г.
Принята к печати: 10 июня 2025 г.
Выставление онлайн: 23 июля 2025 г.
Изучен селективный рост колончатых микрокристаллов GaN на кремниевых подложках комбинированным PA-MBE/HVPE методом. На первом этапе методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (PA-MBE) производился селективный рост массивов колончатых кристаллов GaN субмикронного размера. На втором этапе осуществлялось заращивание массива колончатых кристаллов GaN методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии (HVPE) для увеличения их латеральных размеров. Продемонстрировано контролируемое заращивание методом HVPE массива колончатых кристаллов GaN, приводящее к увеличению их среднего диаметра с ~200 до ~500 nm и уменьшению среднего отношения длины к диаметру с ~4 до ~2. Методом растровой электронной микроскопии и низкотемпературной фотолюминесценции изучено влияние эпитаксиального заращивания на морфологические, оптические и структурные свойства массива колончатых кристаллов GaN. Ключевые слова: PA-MBE, HVPE, колончатые микрокристаллы GaN, эпитаксиальное заращивание.
- M. Mandl, X. Wang, T. Schimpke, C. Kolper, M. Binder, J. Ledig, A. Waag, X. Kong, A. Trampert, F. Bertram, J. Christen, F. Barbagini, E. Calleja, M. Strassburg. Phys. status solidi --- Rapid Res. Lett. 7, 10, 800 (2013)
- J. Meier, G. Bacher, Materials (Basel) 15, 5, 1626 (2022)
- H. Chen, J. Li, G. Yu, H. Zong, R. Lang, M. Lei, S. Li, M.S.A. Khan, Y. Yang, T. Wei, H. Liao, L. Meng, P. Wen, X. Hu. Opt. Express 30, 10, 16794 (2022)
- M.A.H. Khan, M.V. Rao. Sensors 20, 14, 3889 (2020)
- W. Bergbauer, M. Strassburg, C. Kolper, N. Linder, C. Roder, J. Lahnemann, A. Trampert, S. Fundling, S.F. Li, H.-H. Wehmann, A. Waag. J. Cryst. Growth 315, 1, 164 (2011)
- K.A. Bertness, A.W. Sanders, D.M. Rourke, T.E. Harvey, A. Roshko, J.B. Schlager, N.A. Sanford. Adv. Funct. Mater. 20, 17, 2911 (2010)
- G. Avit, Y. Andre, C. Bougerol, D. Castelluci, A. Dussaigne, P. Ferret, S. Gaugiran, B. Gayral, E. Gil, Y. Lee, M.R. Ramdani, E. Roche, A. Trassoudaine. Cryst. Growth Des. 16, 5, 2509 (2016)
- А.Н. Семенов, Д.В. Нечаев, С.И. Трошков, Д.С. Березина, А.С. Аббас, В.Н. Жмерик. Конденсированные среды и межфазные границы 25, 4, 532 (2023)
- S.D. Hersee, X. Sun, X. Wang. Nano Lett. 6, 8, 1808 (2006)
- S. Li, X. Wang, M.S. Mohajerani, S. Fundling, M. Erenburg, J. Wei, H.-H. Wehmann, A. Waag, M. Mandl, W. Bergbauer, M. Strassburg. J. Cryst. Growth 364, 149 (2013)
- X. Wang, S. Li, M.S. Mohajerani, J. Ledig, H.-H. Wehmann, M. Mandl, M. Strassburg, U. Steegmuller, U. Jahn, J. Lahnemann, H. Riechert, I. Griffiths, D. Cherns, A. Waag. Cryst. Growth Des. 13, 8, 3475 (2013)
- S. Li, A. Waag. J. Appl. Phys. 111, 7 (2012)
- H.-P. Liu, J.-D. Tsay, W.-Y. Liu, Y.-D. Guo, J.T. Hsu, I.-G. Chen. J. Cryst. Growth 260, 1, 79 (2004)
- K. Lekhal, S.-Y. Bae, H.-J. Lee, T. Mitsunari, A. Tamura, M. Deki, Y. Honda, H. Amano. J. Cryst. Growth 447, 55 (2016)
- V.O. Gridchin, L.N. Dvoretckaia, K.P. Kotlyar, R.R. Reznik, A.V. Parfeneva, A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin. Nanomaterials 12, 14, 2341 (2022)
- S.N. Filimonov, Y.Y. Hervieu. J. Cryst. Growth 427, 60 (2015)
- E. Gil, Y. Andre, R. Cadoret, A. Trassoudaine. В сб.: Handb. Cryst. Growth / Под ред. T.F. Kuech. Elsevier, Amsterdam. (2015). С. 51
- G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy. Academic Press, N. Y. (1999). 572 с
- A. Sanders, P. Blanchard, K. Bertness, M. Brubaker, C. Dodson, T. Harvey, A. Herrero, D. Rourke, J. Schlager, N. Sanford, A.N. Chiaramonti, A. Davydov, A. Motayed, D. Tsvetkov. Nanotechnology 22, 46, 465703 (2011)
- В.О. Гридчин, К.П. Котляр, Р.Р. Резник, Л.Н. Дворецкая, А.В. Парфеньева, И.С. Мухин, Г.Э. Цырлин. Письма в ЖТФ 46, 21, 32 (2020).
- L. Dvoretckaia, V. Gridchin, A. Mozharov, A. Maksimova, A. Dragunova, I. Melnichenko, D. Mitin, A. Vinogradov, I. Mukhin, G. Cirlin. Nanomaterials 12, 12, 1993 (2022)
- X. Wang, S. Li, S. Fundling, J. Wei, M. Erenburg, H.-H. Wehmann, A. Waag, W. Bergbauer, M. Strassburg, U. Jahn, H. Riechert. Cryst. Growth Des. 12, 5, 2552 (2012)
- V.G. Talalaev, J.W. Tomm, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, I.V. Shtrom, K.P. Kotlyar, F. Mahler, J. Schilling, R.R. Reznik, G.E. Cirlin. Nanotechnology 31, 29, 294003 (2020).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
