Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2025, выпуск 6 » Статья стр. 1123
<<<>>>
Структура и электронный транспорт в тонких пленках иридата стронция под влиянием эпитаксиальных напряжений, вызванных рассогласованием с подложкой
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда, Гибридные гетероструктуры из функциональных оксидных пленок нанометровой толщины для спинтроники, 23-79-00010
Дубицкий Н.В. 1,2, Байдикова В.А.1,3, Петржик А.М. 1, Москаль И.Е.1, Шадрин А.В. 1,4, Шмаков В.А.1, Овсянников Г.А. 1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Физический факультет, Москва, Россия
3МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
4Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Email: nikita.dubitskiy@gmail.com, baydikova2001@mail.ru, petrzhik@hitech.cplire.ru, ivan.moskal@yandex.ru, anton_sh@hitech.cplire.ru, shmakov-va@hitech.cplire.ru, gena@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 6 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 6 марта 2025 г.
Принята к печати: 5 мая 2025 г.
Выставление онлайн: 23 июля 2025 г.
PDF версия
Эпитаксиальные тонкие пленки иридата стронция (SrIrO3) получены методом высокочастотного магнетронного распыления на следующих монокристаллических подложках: (110)NdGaO3, (001)SrTiO3, (001)(LaAlO3)0.3(Sr2TaAlO6)0.7 (LSAT) и (110)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PMN-PT). С помощью рентгеновской дифракции изучены структурные особенности и влияние релаксации напряжений в тонких пленках, вызванных различием параметров элементарных ячеек решетки пленки и подложки. На основе анализа дифракционных данных установлено, что в пленках наблюдается изменение объема элементарной ячейки пленки по сравнению с объемом SrIrO3 кристалла. Электронные транспортные параметры тонких SrIrO3 пленок показывают существенную зависимость от типа используемой подложки и параметров напыления. Анализ температурной зависимости сопротивления выявил влияние рассеяния магнитных примесей, вызванных кислородными вакансиями, на электронный транспорт пленок. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии определена величина спин-орбитального расщепления для Ir 4f состояний, которая варьируется от 2.99 eV для SrIrO3 пленки, напыленной на (001)SrTiO3, до 3.10 eV для пленки на (110)PMN-PT, что связано с концентрацией кислородных вакансий, совершенством структуры и стехиометрией. Ключевые слова: тонкие SrIrO3 пленки, эпитаксиальный рост, рассогласование решеток, кислородные вакансии, электронный транспорт.
  1. S. Sardar, M. Vagadia, T.M. Tank, J. Sahoo, D.S. Rana. J. Appl. Phys. 135, 8 (2024)
  2. H. Chen, D. Yi. APL Mater. 9, 6 (2021)
  3. J.M. Longo, J.A. Kafalas, R.J. Arnott. J. Solid State Chem. 3, 2, 174 (1971)
  4. J. Liu, D. Kriegner, L. Horak, D. Puggioni, C. Rayan Serrao, R. Chen, D. Yi, C. Frontera, V. Holy, A. Vishwanath, J.M. Rondinelli, X. Marti, R. Ramesh. Phys. Rev. B 93, 8, 085118 (2016)
  5. B.L. Chamberland, A.R. Philpotts. J. Alloys Compd. 182, 2, 355 (1992)
  6. G. Cao, P. Schlottmann. Rep. Prog. Phys. 81, 4, 042502 (2018)
  7. S.J. Moon, H. Jin, K.W. Kim, W.S. Choi, Y.S. Lee, J. Yu, T.W. Noh. Phys. Rev. Lett. 101, 22, 226402 (2008)
  8. Z.T. Liu, M.Y. Li, Q.F. Li, J.S. Liu, W. Li, H.F. Yang, D.W. Shen. Sci. Rep. 6, 1, 30309 (2016)
  9. J.H. Gruenewald, J. Nichols, J. Terzic, G. Cao, J.W. Brill, S.S.A. Seo. J. Mater. Res. 29, 21, 2491 (2014)
  10. L. Horak, D. Kriegner, J. Liu, C. Frontera, X. Marti, V. Holy. J. Appl. Crystallogr. 50, 2, 385 (2017)
  11. B. Kim, B.H. Kim, K. Kim, B.I. Min. Sci. Rep. 6, 1, 27095 (2016)
  12. И.Е. Москаль, А.М. Петржик, Ю.В. Кислинский, А.В. Шадрин, Г.А. Овсянников, Н.В. Дубицкий. Известия РАН. Серия физическая 88, 4, 673 (2024)
  13. V. Fuentes, L. Balcells, Z. Konstantinovic, B. Marti nez, A. Pomar. Nanomaterials 14, 3, 242 (2024)
  14. S.S. Li, Y. Zhang, J.S. Ying, Z.C. Wang, J.M. Yan, G.Y. Gao, R.K. Zheng. J. Appl. Phys. 133, 1 (2023)
  15. И.Е. Москаль, Ю.В. Кислинский, А.М. Петржик, Г.А. Овсянников, Н.В. Дубицкий. ФТТ 66, 7, 1101 (2024)
  16. Y.V. Kislinskii, K.Y. Constantinian, I.E. Moskal, N.V. Dubitskiy, A.M. Petrzhik, A.V. Shadrin, G.A. Ovsyannikov. Russian Microelectronics 52, Suppl 1, S53 (2023)
  17. A. Biswas, Y.H. Jeong. Curr. Appl. Phys. 17, 5, 605 (2017)
  18. K. Nishio, H.Y. Hwang, Y. Hikita. APL Mater. 4, 036102 (2016)
  19. A. Gutierrez-Llorente, L. Iglesias, B. Rodri guez-Gonzalez, F. Rivadulla. APL Mater. 6, 091101 (2018)
  20. Г.А. Овсянников, К.И. Константинян, Г.Д. Ульев, А.В. Шадрин, П.В. Лега, А.П. Орлов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2, 81 (2024)
  21. A. Biswas, K.S. Kim, Y.H. Jeong. J. Appl. Phys. 116, 21 (2014)
  22. T.J. Anderson, S. Ryu, H. Zhou, L. Xie, J.P. Podkaminer, Y. Ma, C.B. Eom. Appl. Phys. Lett. 108, 15 (2016)
  23. D. Cui, Y. Xu, L. Zhou, L. Zhang, Z. Luan, C. Li, D. Wu. Appl. Phys. Lett. 118, 5 (2021)
  24. L. Fruchter, O. Schneegans, Z.Z. Li. J. Appl. Phys. 120, 7 (2016)
  25. L. Zhang, Q. Liang, Y. Xiong, B. Zhang, L. Gao, H. Li, Y.F. Chen. Phys. Rev. B 91, 3, 035110 (2015)
  26. H.C. Montgomery. J. Appl. Phys. 42, 7, 2971 (1971)
  27. W. Zhao, M. Gu, D. Xiao, Q. Li, X. Liu, K. Jin, J. Guo. Phys. Rev. Mater. 8, 10, 105001 (2024)
  28. S. Suresh, S.P.P. Sadhu, V. Mishra, W. Paulus, M.R. Rao. J. Phys.: Condens. Matter 36, 42, 425601 (2024)
  29. Ю.В. Кислинский, Г.А. Овсянников, А.М. Петржик, К.И. Константинян, Н.В. Андреев, Т.А. Свиридова. ФТТ 57, 12, 2446 (2015)
  30. В.А. Байдикова, Н.В. Дубицкий, И.Е. Москаль, Г.А. Овсянников, А.М. Петржик, Г.Д. Ульев, К.И. Константинян, Ю.В. Кислинский, А.В. Шадрин. Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии 16, 4, 509 (2024)
  31. G. Rimal, T. Tasnim, G. Calderon Ortiz, G.E. Sterbinsky, J. Hwang, R.B. Comes. Phys. Rev. Mater. 8, 7, L071201 (2024)
  32. R. Choudhary, S. Nair, Z. Yang, D. Lee, B. Jalan. APL Mater. 10, 9 (2022)
  33. Н.К. Чумаков, И.А. Черных, А.Б. Давыдов, И.С. Езубченко, Ю.В. Грищенко, Л.Л. Лев, М.Л. Занавескин. ФТП 54, 9, 962 (2020)
  34. D. Fuchs, A.K. Jaiswal, F. Wilhelm, D. Wang, A. Rogalev, M.L. Tacon. arXiv preprint arXiv:2502.02985 (2025)
  35. W. Surta, S. Almalki, Y.X. Lin, T. Veal, M. O'Sullivan. arXiv preprint:2406.01845 (2024)
  36. V. Fuentes, B. Vasic, Z. Konstantinovi, B. Martinez, L. Balcells, A. Pomar. J. Magn. Magn. Mater. 501, 166419 (2020).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme