Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изменение магнитных свойств поликристаллического тонкопленочного магнетита при введении подслоя железа
1Балтийский федеральный университет им. Иммануила Канта, Калининград, Россия 
Email: galkupr@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Исследованы полевые зависимости магнитного момента поликристаллических пленок магнетита, формируемых методом импульсного лазерного осаждения на подложке из кремния при добавлении подслоя железа. Изучено влияние последовательности расположения слоев Fe/Fe3O4 и Fe3O4/Fe на магнитные характеристики этих структур. Оказалось, что увеличение намагниченности насыщения, а также формирование прямоугольной формы петли гистерезиса со значением коэрцитивной силы, приемлемой для применений тонкопленочного магнетита в качестве магнитожесткого электрода магнитного туннельного перехода, наблюдается только для последовательности расположения слоев Fe/Fe3O4. Изучалось влияние температуры вакуумного отжига на магнитные свойства поликристаллических образцов структуры Fe/Fe3O4. Обнаружено, что наилучший результат достигается при температуре отжига 500oC. Сформулирована феноменологическая модель описания магнитных свойств двухслойной магнитной поликристаллической структуры Fe/Fe3O4. Результаты численных расчетов показали, что введение всего лишь двух феноменологических анизотропных взаимодействий в выражение для энергии пленки позволяет качественно описать наблюдаемые экспериментальные данные по форме петель гистерезиса. Работа проводилась в рамках Федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках ГК N 02.740.11.0550, П148, 16.120.11.5545-МК.
- Z. Zhang, S. Satpathy. Phys. Rev. B 44, 13 319 (1991)
- A. Yanase, K. Siratory. J. Phys. Jpn. 53, 312 (1984)
- Y. Dedkov, U. Rudiger, G. Gutherodt. Phys. Rev. B 65, 914 428 (2002)
- M. Julliere. Phys. Lett. A 54, 225 (1975)
- S. Parkin, X. Jiang, C. Kaiser, A. Panchula, K. Roche, M. Samant. Proc. IEEE 91, 661 (2003)
- J. Daughton. Thin Solid Films 216, 162 (1992)
- J. Daughton. J. Appl. Phys. 81, 3758 (1997)
- D. Margulies, F. Parker, F. Spada, R. Goldmann, J. Chapman, P. Aitchison, A.E. Berkowitz. Phys. Rev. B 53, 9175 (1996)
- M. Ziese, H. Blythe. J. Phys.: Cond. Matter 12, 13 (2000)
- W. Eerenstein, T. Palstra, T. Hibma, S. Celotto. Phys. Rev. B 66, 201 101 (2002)
- J. Coey, A. Berkowitz, L. Balcells, F. Putris, F. Parker. Appl. Phys. Lett. 72, 734 (1998)
- D. Margulies, F. Parker, M. Rudee, F. Spada, P.R. Chapman, P. Aitchison, A.E. Berkowitz. Phys. Rev. Lett. 79, 5162 (1997)
- T. Hibma, F.C. Voogt, L. Niesen, P.A.A. van den Heijden, W.J.M. de Jonge, J.J.T.M. Donker, P.J. van der Zaag. J. Appl. Phys. 85, 5291 (1999)
- С. Magen, E. Snoeck, U. Luders, J.F. Bobo. J. Appl. Phys. 104, 013 913 (2008)
- W.L. Zhou, K.-Y. Wang, C.J. O'Connor, J. Tang. J. Appl. Phys. 89, 7398 (2001)
- Y. Peng, C. Park, D. Lauglin. J. Appl. Phys. 93, 7957 (2003)
- A.V. Ramos, J.-B. Moussy, M.-J. Guittet, A.M. Bataille, M. Gautier-Soyer, M. Viret, C. Gatel, P. Bayle-Guillemaud, E. Snoeck. J. Appl. Phys. 100, 103 902 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
