Стимулированное воздействием рентгеновского излучения и магнитного поля изменение физических характеристик кристаллов кремния
Макара В.А.1, Стебленко Л.П.1, Крит А.Н.1, Калиниченко Д.В.1, Курилюк А.Н.1, Науменко С.Н.1
1Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 2 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.
Исследовано влияние ((0.3-7.3)· 102 Gy ) низкоэнергетического (W=8 keV) малых доз ((0.3-7.3)· 102 Gy ) излучения и постоянного магнитного поля (B=0.17 T) на структурные, микромеханические и микропластические характеристики кристаллов кремния. Выявлены особенности динамического поведения дислокаций, проявляющиеся при самостоятельном воздействии только рентгеновского излучения, а также при комбинированном (рентгеновском и магнитном) воздействии на кристаллы кремния.
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина, А.А. Урусовская. ФТТ 29, 2, 467 (1987)
- М.Н. Левин, Б.А. Зон. ЖЭТФ 111, 4, 1373 (1997)
- А.М. Косцов, О.М. Косцова, М.Н. Левин. Вестник ВГУ. Физика, математика 2, 21 (2001)
- Ю.И. Головин. ФТТ 46, 5, 769 (2004)
- Р.Б. Моргунов. УФН 174, 2, 131 (2004)
- В.А. Макара, Л.П. Стебленко, Н.Я. Горидько, В.М. Кравченко, А.М. Коломиец. Вестн. Киев. ун-та. Физ.-мат. науки 4, 316 (1999)
- В.А. Макара, Л.П. Стебленко, Н.Я. Горидько, В.Н. Кравченко, А.Н. Коломиец. ФТТ 43, 3, 462 (2001)
- Я.Б. Зельдович, А.Л. Бучаченко, Э.Л. Франкевич. УФН 155, 1, 3 (1988)
- М.И. Молоцкий. ФТТ 33, 10, 3112 (1991)
- А.Л. Бучаченко ЖЭТФ 132, 3, 673 (2007)
- А.Л. Бучаченко ЖЭТФ 132, 4, 827 (2007)
- L.P. Steblenko, A.N. Kurylyuk, O.V. Koplak, O.N. Krit, V.N. Tkach, S.N. Naumenko. Semicond. Phys. Quantum Electron. \& Optoelectron. 13, 4, 389 (2010)
- В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники. Наука, М. (1988). 192 с
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности. Наука, М. (1990). 216 с
- П.И. Баранский, А.В. Федосов, Г.П. Гайдар. Неоднородности полупроводников и актуальные задачи междефектного взаимодействия в радиационной физике и нанотехнологии. Киев--Луцк (2007). 315 c
- М.И. Клингер, Ч.Б. Лущик, Т.В. Машовец Г.А. Холодарь, М.К. Шейнкман, М.А. Эланго УФН 147, 3, 523 (1985)
- В.И. Альшищ, Е.В. Даринская, О.Л. Казакова. Письма в ЖЭТФ 62, 4, 352 (1995)
- В.А. Макара, Н.Н. Новиков, Г.Н. Надеждин, В.А. Швидкий, В.Н. Шевченко. Сверхтвердые материалы 4, 57 (1981)
- В.А. Макара. Препринт Ин-та электросварки им. Е.О. Патона АН УССР. ИПМ-86-2. Киев (1986). 52 с
- Н.Н. Новиков. Структура и структурночувствительные свойства реальных кристаллов. Высш. шк. Киев (1983). 264 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук