Вышедшие номера
Механизм переноса тока в диодах с барьером Шоттки на основе крупноблочных пленок CdTe
Мирсагатов Ш.А.1, Утениязов А.К.2, Ачилов А.С.1
1Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
Email: mirsagatov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 29 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Показаны возможности создания барьера Шоттки на Al-p-CdTe-структурах с минимальной плотностью поверхностных состояний, что подтверждено измерениями высоты потенциального барьера вольт-фарадными и фотоэлектрическими методами. Установлено, что при различных напряжениях прямых смещений реализуются различные экспоненциальные зависимости тока от напряжения, которые связаны с изменением кинетических параметров базы Al-p-CdTe-Mo-структуры. Показано, что Al-p-CdTe-Mo-структура при прямом направлении тока, высоких уровнях освещения выступает в качестве инжекционного фотодиода. Такой инжекционный фотодиод обладает высокой токовой чувствительностью. При включении тока в обратном направлении после полного охвата базы структуры объемным зарядом из тылового контакта инжектируются электроны, которые определяют механизм переноса тока и шумовые характеристики структуры. Работа выполнена в рамках гранта "ФА-Ф032" Фонда фундаментальных исследований АН Узбекистана.