Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм переноса тока в диодах с барьером Шоттки на основе крупноблочных пленок CdTe
1Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан 
2Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
2Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
Email: mirsagatov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 29 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
Показаны возможности создания барьера Шоттки на Al-p-CdTe-структурах с минимальной плотностью поверхностных состояний, что подтверждено измерениями высоты потенциального барьера вольт-фарадными и фотоэлектрическими методами. Установлено, что при различных напряжениях прямых смещений реализуются различные экспоненциальные зависимости тока от напряжения, которые связаны с изменением кинетических параметров базы Al-p-CdTe-Mo-структуры. Показано, что Al-p-CdTe-Mo-структура при прямом направлении тока, высоких уровнях освещения выступает в качестве инжекционного фотодиода. Такой инжекционный фотодиод обладает высокой токовой чувствительностью. При включении тока в обратном направлении после полного охвата базы структуры объемным зарядом из тылового контакта инжектируются электроны, которые определяют механизм переноса тока и шумовые характеристики структуры. Работа выполнена в рамках гранта "ФА-Ф032" Фонда фундаментальных исследований АН Узбекистана.
- T. Takahashi, S. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci. 48, 950 (2001)
- S. Watanabe, T. Takahashi, Y. Okada, G. Sato, M. Kouda, T. Mitani, Y.Kabayashi, K. Nakazawa, Y. Kuroda, M. Onishi. IEEE Trans. Nucl. Sci. 49, 210 (2002)
- T. Tanaka, T. Kabayashi, T. Mitani, K. Nakazawa, K. Oonuki, G. Sato, T. Takahashi, S .Watanabe. New Astronomy Rev. 48, 309 (2004)
- Л.А. Косяченко, В.М. Склярчук, О.Л. Маслянчук, Е.В. Грушко, В.А. Гнатюк, Y. Hatanaka. Письма в ЖТФ 32, 24, 29 (2006)
- H. Hermon, M. Shieber, R.B. James. J. of Electron Mater. 28, 688 ( 1999)
- Поликристаллические полупроводники / Под ред. Г. Харбеке. Мир, М. ( 1989). 341 с
- Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорган. материалы 41, 8, 915 (2005)
- L.W. Davies. Proc. IEEE 51, 1637 (1963)
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: теория и эксперименты. Энергоатомиздат, М. (1987). 278 с
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Т. 1. 455 с
- Физика и химия полупроводников. АIIBVI / Под ред. С.А. Медведева, МИР, М. (1970). 624 с
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. Мир, М. (1975). 432 с
- В.Г. Георгиу. Вольт-фарадные измерения параметров полупроводников. Штиинца, Кишинев (1987). 64 с
- Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев. Материалы конф. "Фундаментальные и прикладные вопросы физики". Ташкент (2010). C. 226
- И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов. Сов. радио, М. (1980). 296 с
- А.Ю. Лейдерман, М.К. Минбаева. ФТП 30, 1729 (1996)
- М.Г. Шейнкман, Н.Е. Корсунская. В кн: Физика соединений А2В6 / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. Наука, М. (1986).109 с
- K. Zanio. Semiconductors and semimals. Acad. Press, N. Y. (1978). 210 p
- А. Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. Сов. радио, М. (1970). 392 с
- В.И. Стафеев. ЖТФ 28 8, 1631 (1958)
- W. Shockley, W. Read. Phys. Rev. 87, 835 (1952)
- Ш.А. Мирсагатов, Б.У. Айтбаев, В. Рубинов. ФТП 30, 550 (1996)
- Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музвфарова, М.С. Баиев, А.С. Ачилов. Узб. физ. журн. 12, 3, 154 (2010)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М.(1973). 210 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
