Представлены результаты исследования диэлектрических свойств керамики релаксорных сегнетоэлектриков (1-x)(NaBi)_1/2TiO₃-xBi(ZnTi)_1/2O₃ (x<0.2) по импеданс-спектрам, измеренным в диапазоне частот 25-10⁶ Hz при температурах 100-1000 K. Установлено, что температурная зависимость действительной части диэлектрической проницаемости характеризуется максимумом при температуре T'_m (590-610 K). Показано, что в области температур проявления релаксорного состояния (T<T'_m ) диэлектрическая проницаемость varepsilon определяется суммой вкладов матрицы и дипольных кластеров. Температурная зависимость величины вкладов кластеров, определяемой кинетикой их образования и замерзания, характеризуется кривой с максимумом. В области T>T'_m выявлено два механизма поляризации. Один из них обусловлен тепловым прыжковым движением зарядов, второй дает отклик индуктивного типа (система с отрицательной емкостью). Последний вносит отрицательный вклад в действительную часть varepsilon и положительный вклад в мнимую часть. С использованием эквивалентной схемы, включающей элемент постоянной фазы индуктивного типа, проведен количественный анализ экспериментальных данных. Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (грант N Т11-052).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.