Вышедшие номера
Два типа центров локализации носителей заряда в монокристаллах (DOEO)4[HgBr4]·TCE
Черненькая А.С.1, Коплак О.В.1, Котов А.И.1, Моргунов Р.Б.1, Ягубский Э.Б.1
1Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
Email: mrs.chernenkaya@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Методом ЭПР-спектроскопии обнаружено, что при температурах 5-70 K в кристаллах (DOEO)4[HgBr4]·TCE появляются дополнительные парамагнитные центры, симметрия кристаллического поля которых отличается от наблюдаемой для носителей заряда в интервале температур 70-300 K. Сопоставление температурных зависимостей электрического сопротивления с параметрами спектров ЭПР позволяет предполагать, что при 70 K происходит локализация носителей на двух типах позиций, различающихся кристаллическим окружением.