Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изменение отражения света от поверхности монокристаллов 6H-SiC под действием ультрафиолетового излучения (фотонный транзистор)

Грузинцев А.Н.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Email: gran@iptm.ru

Поступила в редакцию: 17 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены спектры возбуждения зеркального фотоотражения излучения гелий-неонового лазера от поверхности монокристаллов 6H-SiC под углом Брюстера при поляризации, параллельной плоскости падения излучения. Полученные результаты изменения интенсивности отраженного света указывают на уменьшение оптического показателя преломления карбида кремния под действием ультрафиолетовой подсветки. Обнаружена коррелиция спектров возбуждения фотоотражения со спектрами фотопроводимости материала в режиме малых интенсивностей отраженного света и ультрафиолетовой подсветки, а также линейный рост фотомодуляции отраженного красного света с максимумом 632.8 nm при увеличении интенсивности ультрафиолетовой оптической накачки. Работа выполнена в рамках проекта РФФИ N 12-02-00022.

Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth 43, 209 (1978)
J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B 185, 453 (1993)
I. Hamberg, C.G. Grangvist. J. Appl. Phys. 60, R123 (1986)
Z.C. Jin, I. Hamberg, C.G. Grangvist. J. Appl. Phys. 64, 5117 (1988)
Y. Qu, T.A. Gessert, K. Ramanathan, R.G. Dhere, R. Noufi, T.J. Coutts. J. Vac. Sci. Technol. A 11, 996 (1993)
H. Fujiwara, M. Kondo. Phys. Rev. B 71, 075 109 (2005)
C. Honge, C. Boumgardner. Phys. Rev. B 1, 3347 (1970)
O.A. Ryabushkin, E.I. Lonskaya. Physica E 13, 374 (2002)
Т. Тамир. Интегральная оптика. Мир, М. (1978). 341 с
Ф. Качмарек. Введение в физику лазеров. Мир, М. (1981). 540 c

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель