Методом молекулярно-динамического моделирования изучены закономерности гетероэпитаксиального роста пленок твердого раствора Cu-Pd на поверхности (001) кристалла Pd при температурах 600 и 1000 K. Процесс конденсации из двухкомпонентного потока моделировался последовательным нанесением атомов Cu и Pd с концентрацией 60 at.% Cu, 40 at.% Pd порциями в 0.1 ML, что соответствует эффективной скорости напыления ~3.3·10⁹ ML/s. Установлено, что имеет место когерентное сопряжение кристаллических решеток пленки и подложки. В процессе роста происходит формирование промежуточной монослойной твердорастворной фазы: при температуре 600 K фаза образуется в первом слое пленки, при 1000 K - в верхнем слое подложки. Работа выполнена в рамках ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 гг." (госконтракт N 16.513.11.3150) и поддержана грантом РФФИ N 11-08-01257-а.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.