Запись доменов электронным лучом на поверхности +Z-срезов ниобата лития
Емелин Е.В.1, Ильин А.И.1, Коханчик Л.С.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: mlk@iptm.ru
Поступила в редакцию: 7 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.
С помощью электронного луча осуществлено переключение спонтанной поляризации на поверхности +Z-срезов кристаллов ниобата лития разного состава. Домены размером 100-200 nm формировались в тонком поверхностном слое, толщина которого зависела от энергии первичных электронов. Размеры участков, на которых формировались субмикронные домены, превышали размеры области облучения. В кристаллах разного состава распределение доменов на поверхности было различным и зависело от способа перемещения электронного луча и условий облучения. Результаты обсуждаются в свете представлений о зарядке диэлектрических материалов электронным лучом. Предполагается, что спонтанную поляризацию в поверхностном слое +Z-срезов ниобата лития переключает поле двойного слоя зарядов, формирующегося в результате зарядового процесса вблизи поверхности.
- A.C.G. Nutt, V. Gopalan, M.C. Gupta. Appl. Phys. Lett. 60, 2828 (1992)
- C. Restoin, S. Massy, C. Darraud-Taupiac, A. Barthelemy. Opt. Mater. 22, 3, 193 (2003)
- J. He, S.H. Tang, Y.Q. Qin, P. Dong, H.Z. Zhang, C.H. Kang, W.X. Sun, Z.X. Shen. J. Appl. Phys. 93, 9943, (2003)
- J-W. Son, Y. Yuen, S.S. Orlov, L. Hesselink. Otp. Soc. Am. Photerefract. Eff. Mater. Devices 99, 756 (2005)
- L.S. Kokhanchik, M.N. Palatnikov, O.B. Shcherbina. Phase Trans. 84, 9--10, 797 (2011)
- Л.С. Коханчик, М.В. Бородин, С.М. Шандаров, Н.И. Буримов, В.В. Щербина, Т.Р. Волк. ФТТ 52, 1602 (2010)
- O. Norio, I. Takashi. J. Appl. Phys. 46, 1063 (1975)
- V.A. Dyakov, I.V. Yaminsky, D.Yu. Gavrilko, N.F. Evlanova, I.I. Naumova, V.Ya. Schur. Ferroelectrics 341, 131 (2006)
- В.Я. Шур, Д.В. Кузнецов, А.И. Лобов, Д.В. Пелегов, Е.В. Пелегова, В.В. Осипов, М.Г. Иванов, А.Н. Орлов. ФТТ, 50, 4, 689 (2008)
- C.E. Valdivia, C.L. Sones, J.G. Scott, S. Mailis, R.W. Eason, D.A. Scrymgeour, V. Gopalan, T. Jungk, E. Soergel, I. Clark. Appl. Phys. Lett. 86, 022 906 (2005)
- Z.G. Song, C.K. Ong, H. Gong. J. Appl. Phys. 79, 7123, (1996)
- J. Cazaux. J. Appl. Phys. 85, 1137 (1999)
- M. Touzin, D. Goeuriot, C. Guerret-Piecourt, D. Juve, D. Treheux, H.-J. Fitting. J. Appl. Phys. 99, 114 110 (2006)
- Э.И. Рау, Е.Н. Евстафьева, М.В. Андрианов. ФТТ 50, 599 (2008)
- S. Fakhfakh, O. Jbara, S. Rondot, A. Hadjadj, J.M. Patat, Z. Fakhfakh. J. Appl. Phys. 108, 093 705 (2010)
- И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. Наука, М. (1969). 408 с
- T. Volk, M. Wohlecke. Lithium niobate: defects, photorefraction and ferroelectric switching. Springer-Verlag, Berlin (2008). 240 p
- A.E. Grun, Z. Naturforsch. A 12, 89 (1957)
- D.B. Wittry, D.F. Kyser. J. Appl. Phys. 38, 375 (1967)
- Practical scanning electron microscopy / Eds J. Goldstein, H. Yakowitz. Plenum Press, N.Y. (1975). 582 p
- Y. Chen, W. Yan, J. Guo, S. Chen, G. Zhang, Z. Xia. Appl. Phys. Lett. 87, 212 904 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.