Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Синхротронные исследования многослойных нанопериодических структур Si/Mo/Si... c-Si (100)
Домашевская Э.П.1, Терехов В.А.1, Турищев С.Ю.1, Коюда Д.А.1, Румянцева Н.А.1, Першин Ю.П.2, Кондратенко В.В.2, Appathurai N.3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
3Synchrotron Radiation Center, Stoughton, USA
2Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
3Synchrotron Radiation Center, Stoughton, USA
Email: ftt@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 11 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.
Представлены результаты исследования многослойных нанопериодических структур c-Si/[Si/Mo]n/Si методом спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения с использованием синхротронного излучения. Изменение тонкой структуры спектров XANES Mo L2,3 подтверждает формирование силицидной фазы, образующейся на гетерофазных межслойных границах Si/Mo/Si в результате твердофазных взаимодействий между слоями кремния и молибдена. Работа частично выполнена в сентре синхротронного излучения SRC Университета Висконсин-Мэдисон (Synchrotron Radiation Center), который поддерживается Национальным научным фондом США (грант N DMR-0537588).
- А.В. Виноградов, И.А. Брытов, А.Я. Грудский, М.Т. Коган, И.В. Кожевников, В.А. Слемзин. Зеркальная рентгеновская оптика / Под общ. ред. А.В. Виноградова. Машиностроение, Л. (1989). 463 с
- В.А. Севрюкова, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, В.О. Цебенко. Физическая инженерия поверхности 9, 2, 102 (2011)
- М.М. Барышева, Ю.А. Вайнер, Б.А. Грибков, М.В. Зорина, А.Е. Пестов, Д.Н. Рогачев, Н.Н. Салащенко, Н.И. Чхало. Изв. РАН. Сер. физ. 75, 1, 71 (2011)
- M. Watanabe, T. Ejima, N. Miyata, T. Imazono, M. Yanagihara. Nucl. Sci. Techn. 17, 5, 257 (2006)
- Т.М. Иванова, В.А. Терехов, Л.А. Бабаева, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, И.В. Кожевников. Неорган. материалы 28, 3 541 (1992)
- H. Aritani, M. Tamai, K. Konishi. Activity report / UVSOR. Ultraviolet Synchrotron Orbital Radiation Facility, Japan (2003). P. 83
- K. Matsui, T. Tsujii, K. Mitsuhashi, Y. Yoshimura, H. Saisho, H. Iwasaki. Mem. SR Center Ritsumeikan Univ. 7, 109 (2005)
- M. Kasrai, W.N. Lennard, R.W. Brunner, G.M. Bancroft, J.A. Bardwell, K.H. Tan. Appl. Surf. Sci. 99, 302 (1996)
- Т.М. Зимкина, В.А. Фомичев. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Изд-во ЛГУ, Л. (1971). 132 с
- М.А. Румш, А.П. Лукирский, В.Н. Щемелев. Изв. АН СССР. Сер. физ. 25, 8, 1060 (1961)
- F.C. Brown, O.P. Rustgi. Phys. Rev. Lett. 28, 8, 497 (1972)
- В.А. Терехов, Э.П. Домашевская. Изв. АН СССР. Сер. физ. 49, 8, 1531 (1985)
- В.А. Терехов, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.М. Кашкаров, О.В. Курило, С.Ю. Турищев, А.Б. Голоденко, Э.П. Домашевская. ФТП 39, 7, 863 (2005)
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник. Наук. думка, Киев. (1978) 316 с
- E.H. Nicollian. MOS physics and technology. Wiley, N. Y. (1984). 760 p
- H. Aritani, T. Tanaka, T. Funabiki, S. Yoshida, K. Eda, N. Sotani, M. Kudo, S. Hasegawa. J. Phys. Chem. 100, 19 495 (1996)
- H. Hu, I.E. Wachs, S.R. Bare. J. Phys. Chem. 99, 10 897 (1995)
- H.L. Meyerheim, U. Dobler, A. Puschmann, K. Baberschke. Phys. Rev. B 41, 9, 5871 (1990)
- JCPDS--ICDD. 2001. PDF-2 database (USA). Card N 42-1120.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
