Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2013, выпуск 4 » Статья стр. 645
<<<>>>
Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах
Сошников И.П.1,2,3, Петров В.А.1, Цырлин Г.Э.1,2,3, Самсоненко Ю.Б.1,2,3, Буравлев А.Д.1,2, Задиранов Ю.М.2, Ильинская Н.Д.2, Трошков С.И.2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: ipsosh@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 сентября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
PDF версия
Показана возможность эпитаксиального формирования массивов нитевидных нанокристаллов на наклонных гранях линейных мезаструктур. Исследованы структурные свойства нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на гранях (33 1), (11 7) и (113) образцов с кристаллографической ориентацией подложки (100). Установлена связь между структурными параметрами нитевидных нанокристаллов и геометрической ориентацией ростовой поверхности относительно направлений <111> и плоскости подложки. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ, различными научными программами президиума РАН, грантами РФФИ и программами FP7 SOBONA и FUNPROB.
  1. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys. 77, 447 (1995)
  2. Z.H. Wu, X. Mei, D. Kim, M. Blumin, H.E. Ruda, J.Q. Liu, K.L. Kavanagh. Appl. Phys. Lett., 83, 3368 (2003)
  3. И.П. Сошников, А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устинов. ПЖТФ 30, 18, 28 (2004)
  4. И.П. Сошников. ПЖТФ 31, 15, 29 (2005)
  5. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, А.В. Веретеха, А.Г. Гладышев, В.М. Устинов. ФТТ 48 4, 737 (2006)
  6. M. Piccin, G. Bais, V. Grillo, F. Jabeen, S. De Franceschi, E. Carlino, M. Lazzarino, F. Romanatoa, L. Businaroa, S. Rubini, F. Martelli, A. Franciosi. Physica E 37, 134 (2007)
  7. S.A. Fortuna, X.L. Li. Semiconductor Sci. Technol., 25, 2, 024 005 (2010)
  8. E.I. Givargizov. J. Cryst. Growth, 31, 20 (1975)
  9. Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. Наука, М. (1977). 304 с
  10. А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров, Кузнецов, Л.Н. Демьянец, А.Н. Лобачев. Современная кристаллография. Т. 3. Наука, М. (1980). 408 с
  11. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth 289, 31 (2006)
  12. B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 79, 3335 (2001)
  13. L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, 4968 (2004)
  14. А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, И.П. Сошников, В.М. Устинов. ФТП 38, 10, 1256 (2004)
  15. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B 71, 20, 205 325 (2005)
  16. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП 39, 587 (2005)
  17. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ 47, 12, 2121 (2005)
  18. J. Noborisaka, J. Motohisa, T. Fukui. Appl. Phys. Lett. 86, 213 102 (2005)
  19. И.П. Сошников, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, В.Т. Барченко, А.В. Веретеха, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ПЖТФ 32, 12 (2006)
  20. Q. Wan, Q.H. Li, Y.J. Chen, T.H. Wang, X.L. He, J.P. Li, C.L. Lin. Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004)
  21. F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang. Acad. Sci. USA 101, 39, 14017 (2004)
  22. A.B. Greytak, C.J. Barrelet, Yat Li, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett. 87, 151 103 (2005)
  23. Z.L. Wang. Appl. Phys. A 88, 7 (2007)
  24. D. Wallin, A. Fuhrer, L.E. Froberg, L. Samuelson, H.Q. Xu, S. Hofling, A. Forshel. Appl. Phys. Lett., 90, 17, 172 112 (2007)
  25. Z.L. Wang, X. Wang, Y. Qin, R. Yang. US Patent Application 20 090 066 195. Published 12.03.2009
  26. Z.L. Wang. J. Phys. Chem. Lett. 1, 1388 (2010)
  27. Y. Yang, J. Qi, W. Guo, Y. Gu, Y. Huang, Y. Zhang. Phys. Chem. Chem. Phys. 12, 12415 (2010)
  28. P.A. Smith, C.D. Nordquist, T.N. Jackson, T.S. Mayer, B.R. Martin, J. Mbindyo, T.E. Mallouk. Appl. Phys. Lett. 77, 1399 (2000)
  29. X. Duan, Yu Huang, Yi Cui, J. Wang, C.M. Lieber. Nature 409, 66 (2001)
  30. К. Сангвал. Травление кристаллов: теория, практика, применение. Мир, М. (1990). 492 с
  31. J. Weertman, J.R. Weertman. Elementary Dislocation Theory. Oxford University Press, USA (1992). 232 p
  32. J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of dislocations. Wiley, N. Y. (1982). 857 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme