Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2013, выпуск 4 » Статья стр. 697
<<<>>>
Электронный транспорт в манганитных бикристаллических контактах
Петржик А.М.1, Овсянников Г.А.1,2, Демидов В.В.1, Шадрин А.В.1,2, Борисенко И.В.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Чалмерский технологический университет, Гётеборг, Швеция
Email: petrzhik@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 3 сентября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
PDF версия
Исследованы транспортные и магнитные свойства контактов, созданных в тонких пленках La0.67Sr0.33MnO3, эпитаксиально выращенных на подложках c бикристаллической границей. Использовались наклонные бикристаллические подложки из галлата неодима, в которых плоскости (110)NdGaO3 наклонены на углы 12 и 38o. Измерены и проанализированы температурные зависимости сопротивления, магнитосопротивления и дифференциальной проводимости контактов при различном напряжении. Обнаружено, что магнитосопротивление и сопротивление контакта существенно увеличиваются с ростом угла разориентации, хотя разориентация легких осей намагниченностей существенно не меняется. Отношение спин-зависимого и спин-независимого вкладов в проводимость бикристаллического контакта увеличивается почти на порядок при изменении угла от 12 до 38o. Магнитосопротивление контакта увеличивается с понижением температуры, что, скорее всего, связано с ростом магнитной поляризации электронов. Показано, что при низких (гелиевых) температурах проводимость зависит от напряжения V по закону V1/2, что свидетельствует о преобладании вклада электрон-электронного взаимодействия в сопротивление контакта. При увеличении температуры величина этого вклада уменьшается, возрастает вклад, пропорциональный V3/2, характерный для механизма, предполагающего неупругое рассеяние спинов на антиферромагнитных поверхностных магнонах. Работа выполнена при поддержке программ ОФН РАН, Министерства образования и науки РФ (02.740.11.0795), гранта Президента России (Ведущая научная школа НШ-2456.2012.2), проектов РФФИ N 11-02-01234а и 11-02-00349а.
  1. I. Zutic. Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004)
  2. J. O'Donnel, M. Onellion, M.S. Rzchowski. Phys. Rev. B 55, 5873 (1997)
  3. N.D. Mathur, G. Burnell, S.P. Isaac, T.J. Jackson, B.-S. Teo, J.L MacManus-Driscoll, L.F. Cohen, J.E. Evetts, M.G. Blamire. Nature 387, 266 (1997)
  4. Y. Soh, P.G. Evans, Z. Cai, B. Lai, C.-Y. Kim, G. Aeppli, N. D Mathur, M.G. Blamire, E.D. Isaacs. J. Appl. Phys. 91, 7742 (2002)
  5. M.r Paranjape, J. Mitra, A.K. Raychaudhuri, N.K. Todd, N.D. Mathur, M.G. Blamire. Phys. Rev. B 68, 144 409 (2003)
  6. N.K. Todd, N.D. Mathur, S.P. Isaac, J.E. Evetts, M.G. Blamire. J. Appl. Phys. 85, 7263 (1999)
  7. K. Steenbeck, T. Eick, K. Kirsch, H.G. Schmidt, E. Steinbeib. Appl. Phys. Lett. 73, 2506 (1998)
  8. C. Hofener, J.B. Philipp, J. Klein, L. Alff, A. Marx, B. Buchner, R. Gross. Europhys. Lett. 50, 681 (2000)
  9. C.A. Dartora, G.G. Cabrera. J. Appl. Phys. 95, R11 (2004)
  10. C.H. Shang, J. Nowak, R. Jansen, J.S. Moodera. Phys. Rev. B 58, R2917 (1998)
  11. I.V. Borisenko, I.M. Kotelyanski, A.V. Shadrin, P.V. Komissinski, G.A. Ovsyannikov. IEEE Trans. Appl. Supercond. 15, 165 (2005)
  12. И.В. Борисенко, Г.А. Овсянников. ФТТ 51, 292 (2009)
  13. G. Alejandro, L.B. Steren, H. Pastoriza, D. Vega, M. Granada, J.C. Royas Sanchez, M. Sirena, B. Alascio. J. Phys.: Cond. Matter 22, 346 007 (2010)
  14. А.М. Петржик, В.В. Демидов, Г.А. Овсянников, И.В. Борисенко, А.В. Шадрин. ЖЭТФ 142, 994 (2012)
  15. В.В. Демидов, И.В. Борисенко, А.А. Климов, Г.А. Овсянников, А.М. Петржик, С.А. Никитов. ЖЭТФ 139, 943 (2011)
  16. H. Boschker, M. Mathews, E.P. Houwman, H. Nishikawa, A. Vailionis, G. Koster, G. Rijnders, D.H.A. Blank. Phys. Rev. B 79, 214 425 (2009)
  17. M. Julliere. Phys. Lett. A 54, 225 (1975)
  18. J.C. Slonczewski. Phys. Rev. B 39, 6995 (1989)
  19. R. Gunnarsson, Z.G. Ivanov, C. Dobourdieu, H. Russel. Phys. Rev. B 69, 054 413 (2004)
  20. J.-H. Park, E. Vescovo, H.-J. Kim, C. Kwon, R. Ramesh, T. Venkatesan. Phys. Rev. Lett. 81, 1953 (1998)
  21. V. Garcia, M. Bibes, A. Barthelemy, M. Bowen, E. Jacquet, J.-P. Contour, A. Fert. Phys. Rev. B 69, 052 403 (2004)
  22. W. Westerburg, F. Martin, S. Freiedrich, M. Maier, G. Jakob. J. Appl. Phys. 86, 2173 (1999)
  23. P.A. Lee, T.V. Ramakrishnan. Rev. Mod. Phys. 57, 287 (1985)
  24. M.E. Гершензон, В.Н. Губанков, М.И. Фалей. ЖЭТФ 90, 2196 (1986)
  25. Л.И. Глазман, К.А. Матвеев. ЖЭТФ 94, 332 (1988)
  26. F. Guinea. Phys. Rev. B 58, 9212 (1998)
  27. N. Khare, U.P. Moharil, A.K. Gupta, A.K. Raychaudhuri, S.P. Pai, R. Pinto. Appl. Phys. Lett. 81, 325 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme