Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11013
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
57
Распределение количества просмотров по годам:
1145465
1071168
1033931
920163
791592
756938
693979
617126
737016
901969
891818
828349
828160
826606
806003
840242
861922
885646
780222
822040
771363
973547
985795
953654
925745
991503
1001855
954596
922887
935151
844956
730838
551114
405973
286232
131206
68719
8140
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
292
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
61

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Влияние дрейфа вакансий в электрическом поле на формирование распределения радиационных дефектов вблизи границ раздела в кремнии
51
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
50
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
47
Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа AIVBVI
46
Фотоиндуцированные метастабильные состояния в a-SixC1-x : H
44
Перетекание электронов на примесный уровень в Hg1-xMnxSe под давлением
44
О влиянии магнитопримесных резонансов на фотопроводимость p-Ge
44
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
44
Инверсия населенностей при неомическом разогреве в бесщелевых полупроводниках
43
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
43
Влияние флуктуаций состава и легирования на неравновесные свойства полупроводника
43
К теории эффекта Холла в сетке инверсионных каналов
42
Фазовый переход халькопирит<-=_> сфалерит в полупроводниках II-IV-V2
42
Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния в области значений поглощенных доз до 500 кГр
42
Влияние примесной полосы таллия на магнитную восприимчивость теллурида свинца
42
Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии
41
Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой
41
Исследование особенностей переноса носителей в гетероструктурах с тонкими активными областями
41
Пьезосопротивление облученного германия
41
Основные характеристики пары Френкеля в германии
41
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3244
Именной указатель
2816
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2774
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2725
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2669
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2647
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2643
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2598
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2598
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2597
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2573
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2544
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2540
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2540
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2536
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2505
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2504
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2500
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2496
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2487
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2486
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2480
Предметный указатель
2475
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2468
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2463
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2463
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2460
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2441
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2430
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2427
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2423
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2423
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2422
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2421
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2414
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2402
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2402
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2400
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2398
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2397
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2389
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2386
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2380
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2379
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2379
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
2379
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2377
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2375
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2374
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2373
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Марущак В.А.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Германенко А.В.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Энтин М.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Юрова Е.С.
2
Якушева Н.А.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Курбанов К.Р.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme