Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10857
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
18
Распределение количества просмотров по годам:
848590
796042
764606
681603
588079
565312
517501
459908
554105
692738
688736
631327
631319
635276
615113
637234
661752
672889
586866
618614
580913
738461
751108
726747
698075
750372
761456
730412
701365
684236
587177
479613
327792
204914
108531
16130
906
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
99
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
41
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
31
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
22
Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия
21
Первое информационное сообщение
21
Междолинный фотомагнитный эффект в кремнии
21
Термическая энергия ионизации мелких доноров и акцепторов в кристаллах CdTe
21
Режимы генерации рекомбинационных волн конечной амплитуды
21
Энергетический спектр локализованных D-состояний в легированных образцах a-Si : Н
20
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
20
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
20
Исследование спектра локальных состояний a-Si : H методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
20
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
19
Влияние локализованных состояний в барьере на флуктуационный туннельный ток через контакт металл--полупроводник
19
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
19
Квантовые ямы, обусловленные неоднородным магнитным полем
18
О возможности обнаружения остаточных дефектов в ионно-легированных слоях кремния с помощью наблюдения диффузии имплантированных атомов натрия
18
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной потенциальной яме
18
Динамическая релаксационная спектроскопия --- определение параметров локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции
18
Перетекание электронов на примесный уровень в Hg1-xMnxSe под давлением
18
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
2461
Именной указатель
2175
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2096
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2039
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2026
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2001
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
1995
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
1979
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
1954
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
1939
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
1927
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
1893
Предметный указатель
1893
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
1890
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
1874
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
1872
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
1865
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
1857
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
1855
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
1848
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
1845
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
1837
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
1836
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
1836
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
1835
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
1832
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
1830
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
1828
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
1825
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
1817
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
1809
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
1809
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
1805
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
1803
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
1792
Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ
1787
Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
1785
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
1784
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
1784
Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки Ge-Ge1-xSix
1784
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
1782
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1776
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
1776
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
1775
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
1772
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
1772
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex
1770
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
1769
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
1767
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
1767

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme