Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11013
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
57
Распределение количества просмотров по годам:
1145465
1071168
1033931
920163
791592
756938
693979
617126
737016
901969
891818
828349
828160
826606
806003
840242
861922
885646
780222
822040
771363
973547
985795
953654
925745
991503
1001855
954596
922887
935151
844956
730838
551114
405973
286232
131206
68719
8140
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
292
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
61

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Электронные фазовые переходы полупроводник-полуметалл в магнитном поле у тонких монокристаллических нитей сплавов Bi-Sb
48
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
47
Механизм АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках
45
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
44
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
43
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
43
Примесная фотопроводимость эпитаксиальных слоев GexSi1-x, легированных фосфором
42
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
42
Перенос электронов через нерезкий Gamma X-гетеропереход
42
Влияние центров MnGa в GaAs на эффект Фарадея вблизи края основной полосы поглощения
41
Параметры зонной структуры твердых растворов SixGe1-x
41
Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия при лазерном возбуждении
41
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
41
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
40
К теории полевого полупроводникового инжектора с туннельно-резонансной структурой
40
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
40
Релаксационные процессы в структурах металл-аморфный полупроводник-металл
40
"Энергетическая квазибаллистика" в микроструктурах на GaAs при низких температурах
39
Дефекты структуры в сильно легированном бором кремнии, облученном нейтронами
39
Термодинамический расчет зависимости ширины запрещенной зоны от состава многокомпонентных твердых растворов на основе соединений AIIIBV
39
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3140
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2801
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2653
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2621
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2605
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2574
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2539
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2519
Именной указатель
2507
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2502
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2478
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2477
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2475
Критика и библиография
2474
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2466
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2466
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2465
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2463
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2448
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2445
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2430
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2426
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2425
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2421
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2420
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2417
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2410
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2410
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2403
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2403
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2403
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2398
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2398
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2393
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2393
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2385
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2383
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2375
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2375
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2372
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2371
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2369
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2368
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2365
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
2360
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
2360
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2355
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2355
О применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике
2354
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2348
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Сыродоев Г.А.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Джаманбалин К.К.
2
Заячук Д.М.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme