Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10857
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
18
Распределение количества просмотров по годам:
842276
790299
757999
675621
583202
560543
512896
455942
549544
688404
684611
627159
627347
631292
611167
633290
657527
668554
582854
614480
577228
733842
746750
722621
694033
746093
757093
725968
696921
679130
582406
475193
323654
201509
105278
14714
567
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
99
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
21
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
21
Спектры фототока delta-легированных GaAs сверхрешеток nipi
21
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
19
Колебательные спектры кристаллов CdP2
18
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
17
Температурные зависимости параметров переключения варизонных S-диодов
16
Именной указатель
16
Особенности однофононного захвата электрона в магнитном поле
16
Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи комнатной температуры
16
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
16
Резонансное межзонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике
15
"Энергетическая квазибаллистика" в микроструктурах на GaAs при низких температурах
14
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
14
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
14
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
14
Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730-850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
14
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
13
Электрофизические свойства CdxHg1-xTe, подвергнутого ионно-лучевому травлению
13
Исследование влияния химической обработки InP на скорость поверхностной рекомбинации методом комбинационного рассеяния света
13
Статья
Просмотров
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2023
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
1995
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
1938
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
1927
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1924
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1919
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1916
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1910
Именной указатель
1866
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
1866
Колебательные спектры кристаллов CdP2
1856
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
1838
Критика и библиография
1830
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
1825
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
1822
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
1821
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
1815
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
1814
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
1807
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
1802
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
1802
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
1800
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
1799
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
1797
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
1796
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
1790
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
1790
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
1787
О природе K-центра в кремнии
1783
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
1781
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
1773
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
1770
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
1768
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
1762
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
1762
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
1760
Электронные свойства пленок моно- и субселенидов индия
1756
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
1753
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
1751
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
1750
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
1746
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
1744
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
1742
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
1741
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
1738
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
1738
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
1734
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
1734
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
1734
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
1732

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme