Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10857
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
18
Распределение количества просмотров по годам:
847432
795193
763833
680893
587465
564693
516845
459381
553308
692001
687973
630623
630546
634535
614409
636552
660959
671881
586010
617663
580007
737301
749986
725612
696985
749483
760412
729342
700723
683509
586557
479057
327257
204378
107913
15779
874
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
99
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Новые книги по полупроводникам
27
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
23
Новые книги по полупроводникам
20
Модель аномальной фотопроводимости
20
Горячие носители в узкощелевых полупроводниках в сильном электрическом поле
19
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
18
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
18
Спектральные и временные характеристики термически делокализованных экситонов в твердом растворе CdS1-xSex
18
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
18
Люминесценция арсенида галлия с участием пар атомов переходных металлов и мелких примесей
17
AgGa --- новй ян-теллеровский акцептор в GaAs
17
О фазовом переходе порядок-беспорядок в катионной подрешетке соединения ZnGa2Se4
17
Экспериментальное подтверждение модели туннельных избыточных токов в p-n-переходах на антимониде индия
17
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
17
Квантово-размерные эффекты в фотолюминесценции сверхрешеток на основе халькогенидов свинца
17
Переход металл-диэлектрик в твердых растворах Рb1-xМnxТе(In)
17
Акустическая регистрация удержания фотовозбужденной невырожденной электронно-дырочной плазмы вблизи поверхности германия
17
Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков
17
Три световые волны в области экситонного резонанса в кристаллах CdS
17
Измерение концентрации плазмы при поперечном пробое в n-InSb
16
Статья
Просмотров
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
2092
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
2076
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2019
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
1980
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
1971
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
1964
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
1911
Именной указатель
1901
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
1897
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
1895
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
1891
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
1885
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
1875
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
1873
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
1853
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
1835
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
1825
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
1822
Переменная валентность в твердом растворе Pb1-xSnxSe (x=0.15), легированном натрием
1818
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
1808
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
1802
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
1797
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
1796
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
1795
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
1795
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
1795
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
1787
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
1786
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
1786
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
1784
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
1784
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
1783
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
1781
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
1781
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
1777
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
1775
Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области скопления дефектов
1775
Исследование процессов квазибаллистического транспорта электронов в прямозонных полупроводниковых соединениях типа AIIIBV
1774
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
1771
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
1771
Электропроводность и эффект Холла узкощелевых полупроводников PbSe<Mn> и P0.78Sn0.22Se<Mn>
1771
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
1766
Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия
1765
AgGa --- новй ян-теллеровский акцептор в GaAs
1763
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
1763
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
1763
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
1756
Гальваномагнитные явления в кристаллах n-Hg1-x-yCdxMnyTе и n-Hg1-yMnyTe с varepsilong>0
1756
Особенности электрофизических и фотоэлектрических свойств монокристаллов CdxHg1-xTe, подвергнутых облучению
1751
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
1751

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme