Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11013
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
57
Распределение количества просмотров по годам:
1145465
1071168
1033931
920163
791592
756938
693979
617126
737016
901969
891818
828349
828160
826606
806003
840242
861922
885646
780222
822040
771363
973547
985795
953654
925745
991503
1001855
954596
922887
935151
844956
730838
551114
405973
286232
131206
68719
8140
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
292
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
61

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
47
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
47
Нейтрализация мелких примесей в кремнии светом из области фундаментального поглощения
44
Акустическая регистрация удержания фотовозбужденной невырожденной электронно-дырочной плазмы вблизи поверхности германия
44
Исследование поглощения ультразвука в расплавах антимонидов галлия и индия
42
Численный расчет профилей радиационно-стимулированной диффузии примесей для случая быстрого термического отжига
42
Кинетика фотоотклика и спектры Q-DLTS гетероструктур с изолирующим слоем Al0.3Ga0.7As, изготовленных МОС гидридным методом
41
"Тонкая" структура края поглощения кристаллов теллурида кадмия
40
Новые книги по полупроводникам
39
Контактные явления в двумерном электронном газе
39
Влияние заряженных центров на захват медленных электронов нейтральными примесями в полупроводниках
39
Эволюция флуктуационного потенциала при обеднении канала полевого GaAs-транзистора
39
Теория формирования эмиссионного потока Gamma-электронов из полупроводника с отрицательным электронным сродством
39
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
39
Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x
39
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
39
Проявление неоднородностей в нелегированных халькогенидах свинца по гальваномагнитным свойствам
39
Аномальный эффект Стеблера-Вронского в легированных бором пленках a-Si : Н
38
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
38
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
38
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
2834
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
2765
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2656
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2641
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
2606
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2537
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2518
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2515
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2504
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2499
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2498
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2485
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2472
Именной указатель
2469
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2452
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2445
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2431
Новые книги по полупроводникам
2425
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2423
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2420
Диффузия ванадия в кремнии
2420
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2420
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2419
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2415
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2412
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2406
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2403
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2402
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2397
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2396
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2394
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2388
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2388
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
2383
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
2379
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
2373
Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии
2369
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
2369
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2364
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2364
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
2360
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2358
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2357
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2355
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
2354
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2352
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2348
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
2345
Численный расчет профилей радиационно-стимулированной диффузии примесей для случая быстрого термического отжига
2341
Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии О б з о р
2339
Автор
Организация
Статей
Ломако В.М.
6
Чалдышев В.В.
6
Витовский Н.А.
6
Копьев П.С.
6
Шаховцов В.И.
5
Сальков Е.А.
5
Омельяновский Э.М.
5
Осипов В.В.
5
Рудь Ю.В.
5
Шкловский Б.И.
5
Гуревич Ю.Г.
5
Шмарцев Ю.В.
5
Ярошецкий И.Д.
5
Поляков А.Я.
5
Фистуль В.И.
5
Устинов В.М.
5
Машовец Т.В.
5
Мастеров В.Ф.
5
Акимов Б.А.
4
Сейсян Р.П.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Таиров М.А.
4
Малютенко В.К.
4
Лугаков П.Ф.
4
Антонова И.В.
4
Шаймеев С.С.
4
Конников С.Г.
4
Соболев Н.А.
4
Козуб В.И.
4
Кучеренко И.В.
4
Глазов В.М.
4
Гредескул Т.С.
4
Быковский В.А.
4
Ломасов В.Н.
4
Надточий М.Ю.
4
Лебедев А.А.
4
Андреев В.М.
3
Кольченко Т.И.
3
Шмугуров В.А.
3
Абдуллаев М.А.
3
Кохановский С.И.
3
Мильвидский М.Г.
3
Сизов Ф.Ф.
3
Пихтин А.Н.
3
Медведкин Г.А.
3
Владимиров В.В.
3
Аскеров И.М.
3
Михнович В.В.
3
Васильев А.В.
3
Панов В.И.
3
Коршунов Ф.П.
3
Баграев Н.Т.
3
Соловьева Е.В.
3
Степанова М.Н.
3
Пахомов А.В.
3
Кадушкин В.И.
3
Денисов А.А.
3
Тигиняну И.М.
3
Мездрогина М.М.
3
Каширская Л.М.
3
Кюрегян А.С.
3
Дьяконова Н.В.
3
Левинштейн М.Е.
3
Ким С.Г.
3
Гельмонт Б.Л.
3
Голубев В.Г.
3
Иванов-Омский В.И.
3
Машкевич О.Л.
3
Крючков С.В.
3
Горячев Д.Н.
3
Рыжий В.И.
3
Мазур Е.А.
3
Руденко А.И.
3
Колесников Н.В.
3
Ковалев А.Н.
3
Голикова О.А.
3
Аверкиев Н.С.
3
Симашкевич А.В.
3
Дмитрук Н.Л.
3
Берман Л.С.
3
Ткаченко В.Н.
3
Павлов П.В.
3
Гирка А.И.
3
Шишкин А.В.
3
Германенко А.В.
3
Миньков Г.М.
3
Румянцев Е.Л.
3
Рут О.Э.
3
Коваленко В.Ф.
3
Емцев В.В.
3
Абдурахманов К.П.
3
Витман Р.Ф.
3
Штельмах К.Ф.
3
Каган В.Д.
2
Якушева Н.А.
2
Гавалешко Н.П.
2
Агринская Н.В.
2
Терентьев А.И.
2
Домашевская Э.П.
2
Терехов В.А.
2
Мороз С.Е.
2
Любин В.М.
2
Шмелев Г.М.
2
Свистов А.Е.
2
Казакевич Л.А.
2
Куокштис Э.
2
Мизрухин Л.В.
2
Вертелецкий П.В.
2
Аброян И.А.
2
Ясковец И.И.
2
Колесников И.В.
2
Сипатов А.Ю.
2
Константинов А.О.
2
Рябова Л.И.
2
Широкова Н.А.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Макушенко Ю.М.
2
Велецкас Д.
2
Вейс А.Н.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Карпова И.В.
2
Корнеева Л.А.
2
Баранов А.Н.
2
Яковлев Ю.П.
2
Любченко А.В.
2
Арушанов Э.К.
2
Соловьев В.А.
2
Барановский С.Д.
2
Регель А.Р.
2
Насрединов Ф.С.
2
Бабенцов В.Н.
2
Горбань С.И.
2
Некрасов В.Ю.
2
Трухин В.Н.
2
Прокофьева Л.В.
2
Пека Г.П.
2
Токалин О.А.
2
Гинзбург Л.П.
2
Иванюкович В.А.
2
Карась В.И.
2
Виноградова Г.И.
2
Гогаладзе Д.Т.
2
Пахаруков Ю.В.
2
Сеничкин А.П.
2
Шепекина Г.В.
2
Казанин М.М.
2
Холоднов В.А.
2
Евстропов В.В.
2
Попов И.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сыркин А.Л.
2
Галдикас А.
2
Шаховцова С.И.
2
Шварц М.М.
2
Ващенко В.А.
2
Бобылев Б.А.
2
Караваев Г.Ф.
2
Неизвестный И.Г.
2
Супрун С.П.
2
Шумский В.Н.
2
Беляков Л.В.
2
Румянцев Б.Л.
2
Сресели О.М.
2
Стыс Л.Е.
2
Захарова А.А.
2
Толстихин В.И.
2
Долманов И.Н.
2
Безлюдный С.В.
2
Якименко А.Н.
2
Курова И.А.
2
Лупачева А.Н.
2
Мусатов А.Л.
2
Грехов А.М.
2
Арутюнян В.М.
2
Карзанов В.В.
2
Демидов Е.С.
2
Налбандян Л.В.
2
Касаткин В.А.
2
Гуткин А.А.
2
Осипов Е.Б.
2
Барышев Н.С.
2
Ковалюк З.Д.
2
Тетеркин В.В.
2
Борковская О.Ю.
2
Зайнабидинов С.З.
2
Ходжаев М.Д.
2
Лукьянчикова Н.Б.
2
Кулешин В.А.
2
Мокрушин А.Д.
2
Мохов Е.Н.
2
Свирида С.В.
2
Карпович И.А.
2
Бедный Б.И.
2
Грибников З.С.
2
Райчев О.Э.
2
Дугаев В.К.
2
Петров П.П.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme