Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (AlxGa1-xAs)1-ySiy
Середин П.В.1, Домашевская Э.П.1, Терновая В.Е.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Тарасов И.С.2, Prutskij T.3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Puebla, Mexico
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Puebla, Mexico
Email: paul@phys.vsu.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.
Установлено, что в спектрах фотолюминесценции высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (AlxGa1-xAs)1-ySiy наблюдается гашение основных экситонных полос тройных твердых растворов AlxGa1-xAs и возникновение других максимумов. Гашение основных экситонных полос может быть связано как с образование DX-центров, так и с изменением характера зонной структуры четверных твердых растворов (AlxGa1-xAs)1-ySiy. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 12-02-31003 и 12-02-33040.
- K. Uchida, S. Bhunia, N. Sugiyama, M. Furiya, M. Katoh, S. Nozaki, H. Morisaki. J. Cryst. Growth 248, 124 (2003)
- M. Longo, R. Magnanini, A. Parisini, L. Tarricone, A. Carbognani, C. Bocchi, E. Gombia. J. Cryst. Growth 248 119 (2003)
- J. Mimila-Arroyo, S.W. Brand. Appl. Phys. Lett. 77, 1164 (2000)
- C. Monier, A.G. Baca, S.Z. Sun, E. Armour, F. Newman, H.Q. Hou. Appl. Phys. Lett. 81, 2103 (2002)
- T. Takamoto, T. Agui, E. Ikeda. Solar Energy Mater. Solar Cells 66, 511 (2001)
- P.V. Bulaev, A.A. Marmakyuk, A.A. Padalitsa, D.B. Nikitin, I.D. Zalevsky, V.A. Kapitonov, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin, A.V. Lyutetskiy, I.S. Tarasov. J. Cryst. Growth. 248, 114 (2003)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП 43, 1654 (2009)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B 405, 2694 (2010)
- П.В. Середин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич. ФТП 47, 9 (2013)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.К. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, И.А. Журбина. ФТП 44, 194 (2010)
- K.P. Lisiak, A.G. Milnes. J. Appl. Phys. 46, 5229 (1975)
- S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices. John Wiley and Sons, N.Y. (1981). P. 832
- S. Ghosh, V. Kumar. Phys. Rev. B 55, 4042 (1997).
- H. Mejri, A. Selmi, H. Maaref, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys. 69, 4060 (1991)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B 405, 4607 (2011)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП 45, 1489 (2011)
- П.В. Середин. Конденсированные среды и межфазные границы 12, 258 (2010)
- J. Kundrotas, A. Cerskus, V. Nargeliene, A. Suzeiedelis, S. Asmontas, J. Gradauskas, A. Johannessen, E. Johannessen, V. Umansky. J. Appl. Phys. 108, 063 522 (2010)
- E. Munoz Merino. DX centers: Donors in AIGaAs and related compounds. V. 108. Defect and diffusion forum. Trans Tech. Publ., Ltd. (1994). P. 186
- S. Laref, S. Mecabih, B. Abbar, B. Bouhafs, A. Laref. Physica B 396, 169 (2007).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
