Вышедшие номера
Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках c-сапфира
Луценко Е.В.1, Ржеуцкий Н.В.1, Павловский В.Н.1, Яблонский Г.П.1, Нечаев Д.В.2, Ситникова A.А.2, Ратников В.В.2, Кузнецова Я.В.2, Жмерик В.Н.2, Ива нов С.В.2
1Институт физики НАН Белоруссии, Минск, Белоруссия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: e.lutsenko@ifanbel.bas-net.by
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Исследовалась спонтанная и стимулированная люминесценция в AlGaN-гетероструктурах с одиночной квантовой ямой и высоким содержанием Al (до ~80 mol.% в барьерных слоях), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией на c-сапфировых подложках. Продемонстрировано стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне спектра на длинах волн 259, 270 и 289 nm с пороговыми значениями плотности мощности возбуждения 1500, 900 и 700 kW/cm2 соответственно. Показана возможность получения ТЕ-поляризации ( E normal c) как стимулированной, так и спонтанной люминесценции, вплоть до длин волн 259 nm. Работа выполнена при поддержке программы РАН "Новые материалы", гранта РФФИ N 12-02-00865-а и проекта KACST.