Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Квантование электронного спектра и локализация электронов и дырок в кремниевых квантовых точках
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Институт неорганической химии Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия
2Институт неорганической химии Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия
Email: grits@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
В экспериментах по фотолюминесценции наблюдалось квантование электронного спектра в кремниевых квантовых точках, полученных имплантацией кремния в оксид кремния SiO2. Оценен диаметр кремниевых квантовых точек - 1.8 nm. Инжекция электронов и дырок сопровождается возникновением сигнала парамагнитного резонанса с g-фактором 2.006. Этот результат однозначно указывает на то, что кремниевые кластеры являются ловушками для электронов и дырок в SiO2. Работа поддержана РФФИ N 10-07-00531-а и интеграционным проектом N 70 СО РАН.
- Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко. УФН 180, 6, 583 (2010)
- И.Е. Тысченко. В кн.: Диэлектрики в наноэлектронике / Под ред. А.Л. Асеева. Изд-во СО РАН, Новосибирск (2010). С. 258
- L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoieleni, G. Franzo, F. Priolo. Nature 408, 440 (2000)
- W.L. Warren, J. Kanicki, J.R. Robertson, E.H. Poindexter, P.J.Mc Whorter. J. Appl. Phys. 74, 4034 (1993)
- F. Iacona, G. Franzo, C. Spinella. J. Appl. Phys. 87, 1295 (2000)
- P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerefolini, L. Meda, E. Grill, M. Gussi. Appl. Phys. Lett. 66, 851 (1995)
- G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, W. Skorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 122, 571 (1997)
- M.Ya. Valakh, V.A. Yukhimchuk, V.Ya. Bratis, A.A. Konchits, P.L.F. Hemment, T. Komoda. J. Appl. Phys. 85, 168 (1999)
- H.Z. Song, X.M. Bao. Phys. Rev. B 55, 6988 (1997)
- В.А. Гриценко, Д.В. Гриценко, Ю.Н. Новиков, R.W.M. Kwok, I. Bello. ЖЭТФ 125, 868 (2004)
- T. Fujita, M. Fukui, S. Okada, T. Shimizu, N. Itoh. Jpn. J. Appl. Phys. 28, L 1254 (1989)
- M. Lopez, B. Garrido, C. Garcia, P. Pellegrino, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. Appl. Phys. Lett. 80, 1637 (2002)
- В.А. Гриценко. УФН 178, 727 (2008)
- I. Vasilev, S. Ogut, J. Chelikowsky. Phys. Rev. Lett. 86, 1813 (2001)
- U. Hermann, H.H. Dunken, E. Wendler, W. Wesch. J. Non-Cryst. Solids 204, 273 (1996)
- В.А. Гриценко. Строение и электронная структура диэлектриков в кремниевых МДП-структурах. Наука, Новосибирск (1993). С. 280
- N.-M. Park, T.-S. Kim, S.-J. Park. Appl. Phys. Lett. 78, 2575 (2001)
- N.M. Park, C.J. Choi, T.-Y. Seong, S.-J. Park. Phys. Rev. Lett. 86, 1355 (2001)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
- M. Stutzman, D.K. Biegelsen. Phys. Rev. B 40, 834 (1989)
- T. Umeda, S. Yamasaki, J. Isoya, K. Tanaka. Phys. Rev. B 62, 15 702 (2000)
- H. Hosono, H. Kawazoe, K. Oyoshi, S. Tanaka. J. Non-Cryst. Solids 179, 39 (1994)
- E. Holzenkampfer, F.W. Richter, J. Stuke, U. Voget-Grote. J. Non-Cryst. Solids 32, 327 (1979)
- Y. Kamigaki, K. Yokogawa, T. Hashimoto, T. Uemura. J. Appl. Phys. 80, 3430 (1996)
- E. San Andres, A. del Prado, I. Martil, G. Gonzales-Diaz, D. Bravo, F.L. Lopez. J. Appl. Phys. 92, 1906 (2002)
- Y. Kamigaki, S. Minami, H. Kato. J. Appl. Phys. 68, 2211 (1990)
- S. Hasegawa. J. Appl. Phys. 83, 2228 (1988)
- V.A. Gritsenko, K.S. Zhuravlev, A.D. Milov, H. Wong, R.W.M. Kwok, J.B. Xu. Thin Solid Films 353, 20 (1999)
- L.-N. He, T. Inokuma, S. Hasegawa. Jpn. J. Appl. Phys. (Pt 1) 35, 1503 (1996)
- B. Pivac, B. Rakvin, A. Borghesi, A. Sassella, M. Bacchetta, L. Zanotti. J. Vac. Sci. Technol. B 17, 44 (1999)
- J.F. Conley, P.M. Lenahan. In: Physics of SiO2 and the Si/SiO2 interface / Eds H.Z. Massoud, E.H. Pondexter, C.R. Helms. New Jersey (1996). P. 214
- A. Stesmans, G. Van Gorp. Phys. Rev. B 39, 2864 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
