Подвижность 2D-электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов в тонких легированных слоях
Михеев В.М.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: mikheev@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 16 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Рассмотрены пространственные корреляции примесных ионов в тонких легированных слоях. Для описания корреляций в расположении примесных ионов развита модель жестких сфер на плоскости. В этой модели получено аналитическое выражение для структурного фактора 2D-электронов. Изучены концентрационные зависимости подвижности 2D-электронов в гетероструктурах с раздельным легированием на примере AlxGa1-xAs/GaAs. Работа выполнена по плану РАН (шифр "Электрон" N г.р. 01.2.006 13395).
- F. Stern. Appl. Phys. Lett. 43, 974 (1983); T. Saku, Y. Horikoshi, Y. Tokura. Jpn. J. Appl. Phys. 35, 34 (1996)
- S. Das Sarma, S. Stern. Phys. Rev. B 32, 8442 (1985)
- A.L. Efros, F.G. Pikus, G.G. Samsonidze. Phys. Rev. B 41, 8295 (1990)
- T. Kawamura, S. Das Sarma. Silod State Commun. 100, 411 (1996)
- В.М. Михеев. ФТТ 49, 1770 (2007)
- В.М. Михеев. ФТТ 50, 1877 (2008)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем. Мир, М. (1985). 415 с.; F. Stern, W. Howard. Phys. Rev. 163, 816 (1967)
- Р. Балеску. Равновесная и неравновесная статистическая механика. Наука, М. (1978). Т. 1. 405 с
- В.М. Михеев. ФТТ 47, 1056 (2005)
- DX-centers and other metastable defects in semiconductors. Int. Symp. Mauterdorf, Austria (1991). Semicond. Sci. Technol. 6, 10B (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
