Теоретически рассчитана дифференциальная интенсивность гиперкомбинационного рассеяния света (ГКРС) поверхностными колебаниями решетки поглощающего полупроводника. Исследование проведено на основании классических макроскопических уравнений Максвелла. Построенная теория учитывает процесс поглощения света в рассматриваемой среде за счет наличия у диэлектрической проницаемости среды мнимой части как на частоте падающего света, так и на частоте гиперрассеяния. Максимальная интенсивность сигнала ГКРС получается при этом для случая p-поляризованного падающего света при угле падения, эквивалентному углу Брюстера. Этот угол определяется из требования того, чтобы интенсивность отраженной волны была бы минимальной. В аналитическом виде рассмотрены случаи слабого и сильного поглощения падающего света. Для обоих случаев интенсивность ГКРС в брюстеровской геометрии на 1-2 порядка больше интенсивности ГКРС при падающем свете s-поляризации и при том же угле падения для типичных полупроводников (Si, Ge).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.