Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1993, выпуск 7 » Статья стр. 1897
<<<>>>
Микроскопическая теория эпитаксиального роста I. Зарождение гетероэпитаксиальных пленок на вицинальных поверхностях
Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.
PDF версия
Зарождение гетероэпитаксиальных пленок и рост пленок и кристаллов описаны в рамках единого подхода, объединяющего кинетическую теорию зарождения тонких пленок с классической TLK-моделью роста кристаллов. Исследуются процессы образования новой фазы на вицинальных поверхностях кристаллов. Показано, что процесс эволюции атомов, адсорбирующихся на вицинальных поверхностях, состоит из трех стадий. В части I исследуются две стадии. На первой из них происходит интенсивное зарождение новой фазы на ступенях подложки, приводящее при определенных условиях к образованию сигарообразных кластеров, и гораздо менее интенсивное образование на террасах островков определенной формы. На второй стадии сигарообразные кластеры растут и взаимодействуют с ансамблем островков. Показано, что в зависимости от реализующихся механизмов массопереноса между островками и интенсивности поступления вещества на поверхности могут происходить следующие процессы. Во-первых, интенсивное зарождение островков на террасах; во-вторых, оствальдовское созревание островков и их растворение в непосредственной близости перед фронтом растущих сигарообразных кластеров; в-третьих, столкновение островков, не успевших раствориться в обобщенном диффузионном поле, с сигарообразными кластерами. Если все островки успевают раствориться до столкновения, то на поверхности подложки остаются только сигарообразные кластеры. Определены условия, приводящие к подобным процессам, вычислены все основные характеристики процессов зарождения и роста.
  1. Бартон В., Кабрера Н., Франк Ф. Элементарные процессы роста кристаллов. М.: Наука, 1959. С. 299--358
  2. Stoyanov S., Kashchiev D. Curr. Top. in Mater. Sci. 1981. V. 7. P. 69--141
  3. Гегузин Я.Е., Кагановский Ю.С. Диффузионные процессы на поверхности кристалла. М.: Энергоатомиздат, 1984. 128 с
  4. Трусов Л.И., Холмянский В.Л. Острровковые металлические пленки. М.: Металлургия, 1973. 321 с
  5. Александров Л.Н. Кинетика образования и структура твердых слоев. Новосибирск: Наука, 1972. 227 с
  6. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971. 480 с
  7. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. 319 с
  8. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.В. Эпитаксиальные пленки соединений A2 B6. Л., ЛГУ, 1978. 311 с
  9. Технология тонких пленок / Под ред. И. Мэйсела, Р. Глэнга. М.: Мир, 1977. Т. 1. 779 с
  10. Кукушкин С.А. Поверхность. 1984. N 10. С. 36--44
  11. Kukushkin S.A. Thin Solid Films. 1992. V. 207. P. 302--312
  12. Коропов А.В., Слезов В.В., Сагалович В.В. Поверхность. 1982. N 2. С. 63--72
  13. Чернов А.А. УФН. 1961. Т. 73. N 2. С. 277--331
  14. Чернов А.А. Современная кристаллография. М.: Наука, 1980. Т. 3. С. 7--232
  15. Mullins W.W. J. Appl. Phys. 1959. V. 30. P. 77--83
  16. Resh J., Strozier J., Bensalova A., Ignatiev A. J. Vac. Sci. and Tech. 1991. V. A9. P. 1551--1557
  17. Myers-Beaghton A.K., Vvedensky D.D. Phys. Rev. 1990. V. A42. P. 5544--5549
  18. Кукушкин С.А., Разумов С.В., Калинкин И.П., Красинькова М.В. Кристаллография. 1990. Т. 35. N 6. С. 1517--1522
  19. Norton M.G., Moeckly B.H., Carter C.B., Buhrman R.A. J. Cryst. Growth. 1991. V. 114. P. 258--263
  20. Mattews J.W. (ed.) Epitaxial Growth. N. Y., 1975. 362 p
  21. Chakraverty B.K., Pound G.M. Acta Met. 1964. V. 12. P. 851--857
  22. Ickert L. Z. Phys. Chem. 1962. V. 221. N 1. P. 301--328
  23. Cabrera N., Vermilyea D.A. Growth and Perfection of Crystals. N. Y., 1958. P. 393--408
  24. Барьяхтар В.Г., Боровик А.Е., Кагановский Ю.С. Письма в ЖЭТФ. 1988. Т. 47. N 8. С. 396--399
  25. Кагановский Ю.С. Дисперсные системы и поверхностные явления. Харьков, ХГУ, 1989. С. 106--133
  26. Осипов А.В. Поверхность. 1992. N 4. С. 5--15
  27. Осипов А.В. Изв. СО АН СССР. Сер. техн. наук. 1990. N 2. С. 92--98
  28. Осипов А.В. Металлофизика. 1991. Т. 13. N 6. С. 92--101
  29. Лифшиц И.М., Слезов В.В. ЖЭТФ. 1958. Т. 35. N 2. С. 479--492

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme