Впервые образование и рост кристаллов и эпитаксиальных пленок описаны в рамках единого подхода. Показано, что образующиеся при осаждении на вицинальной поверхности кристалла сигарообразные кластеры, декорирующие ступени подложки, заполняют в процессе роста ее поверхность. Получено уравнение, описывающее единым образом эволюцию и рост из несобственного пара гетероэпитаксиальных сигарообразных кластеров, образующих монокристаллические пленки, и ступеней кристаллов или гомоэпитаксиальных пленок из собственного пара. Показано, что в процессе роста эпитаксиальных структур образуются нелинейные волны плотности сигарообразных кластеров или ступеней кристалла. Построена строгая теория таких нелинейных волн. Показано, что эволюция микрорельефа растущей поверхности описывается уравнением типа Кортевега-де Фриза или типа Бюргерса. При этом в зависимости от начальных условий и внешних параметров могут образоваться ударные волны, солитоны, кинки, волны пилообразной формы и т.д. Все процессы описаны аналитически и вычислены все характеристики, определяющие форму рельефа растущих поверхностей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.