Линейные коэффициенты фотоупругости в слоистых структурах с квантовыми ямами вблизи резонансов квазидвумерных экситонов при учете конечности ширины ямы
Аюханов Р.А.1, Шкердин Г.Н.1
1Институт радиотехники и электроники РАН Фрязино Московская область
Поступила в редакцию: 16 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.
Получено аналитическое выражение для линейных коэффициентов фотоупругости в слоистых структурах с квантовыми ямами вблизи резонанса квазидвумерного экситона с учетом конечности ширины квантовой ямы. Вычислены коэффициенты фотоупругости в сверхрешетках GaAs/Al0.28Ga0.72As на длинноволновом краю резонанса квазидвумерного экситона. Показано, что эти коэффициенты больше соответствующих величин в нерезонансном случае в объемном кристалле. Предлагается использование сверхрешеток в этой частотной области в качестве материала с высоким значением коэффициента фотоупругости.
- Аюханов Р.А., Гуляев Ю.В., Шкердин Г.Н. ФТТ. 1990. Т. 32. N 12. С. 3555--3557
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М., 1963. 702 с
- Bastard G., Mendez E.E., Chang L.L., Esaki L. Phys. Rev. B. 1982. V. 26. N 4. P. 1974--1979
- Арсенид галлия. Получение, свойства и применение / Под ред. Ф.П.Кесаманлы и Д.Н.Наследова. М., 1973. 471 с
- Ярив А., Юх П. Оптические волны в кристаллах. М., 1987. 616 с
- Chemla D.S. Helv. Phys. Acta. 1983. V. 56. N. 1--3. P. 607--637
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.