Рассмотрены люкс-амперные характеристики диэлектрика с глубокими двухфотонно ионизуемыми примесными центрами и однофотонно ионизуемыми уровнями прилипания. Показан степенной характер зависимости плотности тока j от интенсивности фотовозбуждения P: j~ P^k, где k может принимать значения от 1/2 до 2, кратные 1/2, причем конкретная величина k определяется как соотношением равновесных концентраций центров рекомбинации и уровней прилипания в образце, так и зарядовыми состояниями, в которых могут находиться последние. Исследовано влияние дополнительной инфракрасной подсветки на вид j(P). Результаты хорошо согласуются с последними измерениями фототока, проведенными на широкозонных (E_g= 5 eV) кристаллах Li₁₂Ge₇O₁₅:Cr.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.