Формирование структурных дефектов в гетероэпитаксиальных слоях CdTe и CdZnTe, выращенных на GaAs
Логинов Ю.Ю.1, Браун П.Д.2, Хамфрейс К.Дж.2
1Красноярский государственный университет, Красноярск, Россия
2Университет г. Кембридж, Великобритания
Поступила в редакцию: 13 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
Методами просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии исследовано формирование структурных дефектов в эпитаксиальных системах 111CdTe/001GaAs, 111CdTe/111GaAs, 001CdTe/001GaAs и 001HgMnTe/001CdTe/001GaAs, выращенных методом металлорганической парофазовой эпитаксии, а также методом молекулярно-пучковой эпитаксии в сверхструктуре 001CdZnTe//001CdZnTe/001GaAs.
- Brown P.D., Hails J.E., Russell G.J., Woods J. J. Cryst. Growth 86, 511 (1988)
- Sugiyama I., Hobbs A., Saito T., Ueda O., Shinohara K., Takigawa H. J. Cryst. Growth 117, 161 (1992)
- Cheng T.T., Aindow M., Jones I.P., Hails J.E., Williams D.J., Astles M.G. J.Cryst. Growth 135, 409 (1994)
- Kawano M., Oda N., Sasaki T., Ichihashi T., Iijima S., Kanno T., Saga M. J. Cryst. Growth 117, 171 (1992)
- Kleebe H.J., Hamilton W.J., Ahlgren W.L., Johnson S.M., Ruhle M. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 161, 63 (1990)
- Brown P.D., Golding T.D., Russell G.J., Dinan J.H., Woods J. Microscopy of Semicond. Mater. Inst. Phys. Bristol N.Y. (1989). Ser. N 100. P. 357--362
- Brown P.D., Kelly H., Clifton P.A., Mullins J.T., Simmons M.Y., Durose K., Brinkman A.W., Golding T.D., Dinan J. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 216, 427 (1991)
- Miles R.H., Wu G.Y., Johnson M.B., McGill T.C., Faurie J.P., Sivananthan S. Appl. Phys. Lett. 48, 1383 (1986)
- Mathieu H., Allegre J., Chatt A., Lefebvre P., Faurie J.P. Phys. Rev. B38, 7740 (1988)
- Cibert J., Andre R., Deshayes C., Dang Le Si, Okumura H., Tatarenko S., Fenillet G., Jounean P.H., Mallard R., Saminadayar K. J. Cryst. Growth 117, 424 (1992)
- Cullis A.G., Chew N.G., Irvine S.J.C., Giess J. Microscopy Semicond. Mater. Inst. Phys. Bristol (1987). Ser. N 87. P. 141--146
- Brown P.D., Loginov Y.Y., Mullins J.T., Durose K., Brinkman A.W., Humphreys C.J. J. Cryst. Growth 138, 538 (1994)
- Patriarche G., Tromson Carli A., Riviere J.P., Triboulet R., Marfaing Y., Castaing J. Phys. Stat. Sol. (a) 138, 437 (1993)
- Sabinina I.V., Gutakovskii A.K., Sidorov Yu.G., Kuzmin V.D. Phys. Stat. Sol. (a) 126, 181 (1991)
- Angelo J.E., Gerberich W.W., Stobbs W.M., Bratina G., Sorba L., Franciosi A. Phil. Mag. Lett. 67, \it 4, 279 (1993)
- Sabinina I.V., Gutakovskii A.K., Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Kuzmin V.D. J. Cryst. Growth 117, 238 (1992)
- Otsuka N., Kolodziejski L.A., Genshor R.L., Datta S., Bicknell R.N., Schetzina J.F. Appl. Phys. Lett. 46, 860 (1985)
- Lu P.Y., Williams L.M., Chu S.N.G. J. Vacuum. Sci. Technol. A4, 2137 (1986)
- Hobbs A., Ueda O., Nishijima Y., Ebe H., Shinohara K., Umebu I. J. Cryst. Growth 126, 605 (1993)
- Al-Allak H.M., Brinkman A.W., Clifton P.A., Brown P.D. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 216, 35 (1991)
- Chew N., Cullis A.G. Ultramicroscopy 23, 175 (1987)
- Durose K., Russell G.J. J. Cryst. Growth 101, 246 (1990)
- Cohen-Solal G., Bailly F., Barde M. J. Cryst. Growth 138, 68 (1994)
- Ayers J.E., Ghandhi S.K., Schowalter L.J. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 209, 661 (1991)
- Booker G.R., Titchmarsh J.M., Fletcher J., Darby D.B., Hockley M., Al-Jassim M. J. Cryst. Growth 45, 407 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук