Исследовано движение дислокаций в термообработанных монокристаллах alpha-SiC, генерируемых при нанесении царапин алмазным резцом на поверхности (000(1)) C. Установлено, что заметный разбег дислокаций происходит лишь при температурах отжига T₀ <= 1800^oС, осуществляется преимущественно скольжением и зависит от кристаллографической ориентации царапин и плотности, а также распределения исходных ростовых дислокаций. Обнаружено уменьшение подвижности дислокаций в кристаллах, облученных большими дозами реакторных нейтронов (Phi=10²⁰ см^-2). Торможение дислокаций при T < 1800^oС, а также после облучения нейтронами связывается с атмосферой неравновесных точечных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.