В приближении линейной связи (ПЛС) вычислены энергии образования вакансий, ионов замещения и внедрения в некоторых щелочно-галоидных кристаллах (использована оболочечная модель Дика-Оверхаузера). Показано, что энергии образования дефектов, вычисленные в ПЛС, отличаются от точных значений, полученных методом молекулярной статики, на (2-5) %, если использовать мотт-литтлтоновские смещения ионов кристалла дефектом; при использовании точных значений смещений деформированной дефектом решетки ПЛС выполняется с точностью порядка 1 % (в обоих случаях максимальные смещения xi_max не должны превышать 10 % от постоянной решетки кристалла a₀). При xi_max > 10 % · a₀ с увеличением xi_max точность выполнения приближения линейной связи быстро падает.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.