Уточняется развитая ранее теория подвижности дислокации в решетке с большими барьерами Пайерлса для случая относительно небольшой энергии перегиба. Полученные соотношения можно использовать для приближенной оценки энергии образования U₀ и миграции W_m перегиба по данным о подвижности длинных дислокаций в достаточно совершенных кристаллах. Применительно к InSb получено: U₀ ~ 0.1, 0.2 эВ, W_m = 0.7, 0.8 эВ у alpha- и beta-дислокаций соответственно. Малым U₀ отвечают более широкий спектр значений m в соотношении v propto sigma^m и более узкий интервал напряжений sigma, при которых теория справедлива.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.