Изучено влияние атомов изовалентной примеси Ge на свойства донорных электронов, принадлежащих кластерам фосфора в приповерхностных, обогащенных фосфором, слоях твердого раствора Si-Ge. Показано, что рассеяние донорных электронов на атомах Ge увеличивает скорость прыжкового движения электрона от кластеров к одиночным донорам tau_sd^-1 и скорость обратного прыжка tau_ds^-1, так что tau_sd^-1 пропорциональна sqrt(N_Ge)sqrt, а tau_ds^-1 пропорциональна N_Ge, где N_Ge - концентрация Ge.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.