Эспериментальная методика, основанная на анализе состояния поляризации обращенной волны при вырожденном четырехволновом взаимодействии впервые применена для исследования процессов формирования голограмм в кристаллах полуизолирующего GaAs под действием мощных пикосекундных импульсов. Показано, что в рассматриваемых условиях наряду с фоторефрактивной голограммой в кристалле формируется также и фазовая несмещенная решетка, обусловленная сдвигом плазменной частоты при фотогенерации значительного числа свободных носителей (решетка Друде-Лоренца).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.