В совершенных образцах висмута при низких температурах (3<T<8 K) реализуется режим пуазейлева течения фононного газа l_N<sqrt(l_Nl_U)sqrt, где l_N, l_U - длины свободного пробега фононов для N- и U-процессов. Теплопроводность для массивных образцов Bi при этих температурах ограничивается только фонон-фононными процессами переброса, и на эксперименте наблюдается экспоненциальная зависимость теплопроводности от температуры chi₀~ l_U~ e^{theta/b· T}, где theta~= 120 K, b~=3. Теплопроводность висмута для образцов конечных размеров chi ограничивается как фонон-фононными процессами переброса, так и рассеянием фононов на поверхности кристаллов и меньше теплопроводности массивных образцов chi на величину Deltachi=chi₀-chi=2chi₀sqrt(l_Ul_N)sqrt. Анализ экспериментальных данных подтверждает различие показателей степени экспонент в 3/2 раза для температурных зависимостей поправки к теплопроводности образцов с конечными поперечными размерами и теплопроводности массивных образцов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.