Исследована зависимость спектров низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток GaAs/AlAs от уровня возбуждения. Установлена взаимосвязь между толщинно-слоевыми параметрами сверхрешеток, особенностями их фотолюминесценции и энергетической структурой электронного спектра. Показано, что повышение уровня возбуждения до (L~1 МВт/см²) в случае сверхрешеток II типа приводит к включению нового канала излучательной рекомбинации из Gamma-минимума зоны проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.