Путем измерений температурных зависимостей оптического двупреломления delta(Delta n)(T) исследована неравновесность несоразмерной (НС) фазы в собственном сегнетоэлектрике Sn₂P₂Se₆, обладающем полупроводниковыми свойствами. Характерные проявления такой неравновесности - аномальный температурный гистерезис, переход от непрерывной зависимости к ступенчатой при низкой скорости изменения температуры, эффект термооптической памяти - подобны наблюдаемым в НС фазах диэлектрических кристаллов. Наряду с этим для Sn₂P₂Se₆ обнаружено существенное влияние подсветки на запись и стирание термооптической памяти. Предполагается, что в НС фазе полупроводника Sn₂P₂Se₆ важную роль играет квадратичное взаимодействие волны поляризации с подвижными дефектами. Эффективность такого взаимодействия заметно изменяется при изменении зарядового состояния дефектов путем освещения образца.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.