Исследован аномальный фотоэмиссионный ток в контакте микрорельефная поверхность полупроводника-металл и предложена модель, объясняющая механизм его формирования. Она учитывает фотовозбуждение электронов из валентной зоны в пустые поверхностные электронные состояния границы раздела и последующее их туннелирование в металл через промежуточный слой. Проведено сопоставление теории тока аномальной внутренней фотоэмиссии с экспериментом, выполненным на структурах Au-GaAs с анизотропно-травленой поверхностью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.