Методом матриц переноса получены точные выражения для коэффициентов пропускания, отражения и поглощения TE-поляризованного света полупроводниковой сверхрешеткой конечной толщины. При учете нелокальности диэлектрического отклика экситонов и в пренебрежении их "механическим" переносом между квантовыми ямами рассмотрены два практически важных случая: 1) движение экситона как целого квантовано (a>> a_B, где a - ширина квантовой ямы, a_B - боровский радиус экситона), 2) экситоны в квантовых ямах квазидвумерны (a=<sssim a_B). Изучена зависимость коэффициентов пропускания, отражения и поглощения света от частоты фотонов, затухания экситонов и толщины сверхрешетки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.