Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок BaxSr1-xTiO3 на различных подложках методом высокочастотного распыления
Иванов М.С.1, Афанасьев М.С.1
1Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
Email: IvanovMaksim@list.ru
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.
Методом высокочастотного катодного распыления керамической мишени стехиометрического состава на установке магнетронного распыления получены эпитаксиальные тонкие пленки твердых растворов BaxSr1-xTiO3 на монокристаллических подложках MgO (001) и NdGaO3 (011). Определены основные качественные различия оптических, структурных и электрических свойств полученных сегнетоэлектрических пленок, выявлена их существенная зависимость от выбора подложки. PACS: 73.61.-r, 78.20.-e
- Ю.И. Юзюк, И.Н. Захарченко, В.А. Алешин, И.Н. Леонтьев, Л.М. Раким, В.М. Мухортов, P. Simon. ФТТ 49, 9, 1676 (2007)
- Ю.А. Бойков, З.Г. Иванов, Д. Эртс, И.П. Пронин, Т. Клаесон, Т.А. Шаплыгина. ФТТ 39, 4, 683 (1997)
- Н.Э. Шерстюк. Автореф. канд. дис. М. (2005)
- М.А. Кузнецов, Е.Д. Мишина, А.И. Морозов, А.С. Сигов, Ю.И. Головко, В.М. Мухортов, В.Т. Мошняга. Нано- и микросистемная техника 12, 20 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук