В рамках предложенной модели пленок Pb(ZrTi)O₃ (PZT) с избытком оксида свинца, основанной на существовании гетерофазных межзеренных границ, проведен анализ результатов комплексного исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств конденсаторных структур. Показано, что процесс старения тонкопленочных конденсаторных структур сопровождается значительным увеличением концентрации кислорода в субмикронных пленках PZT, а также модификацией элементного и фазового состава границ раздела. Экспериментально подтверждено, что уменьшение переключающегося заряда в состаренных пленках PZT обусловлено сорбцией кислорода на гетерофазных границах кристаллитов с оксидом свинца и закреплением поляризации в областях, прилегающих к заряженным границам. Показано, что вольт-амперные характеристики конденсаторных структур описываются в рамках механизма токов, ограниченных пространственным зарядом. Работа выполнена при финансовой поддержке АВЦП "Развитие научного потенциала высшей школы (2006-2008 гг.)", проект РНП.2.1.2.0.7083. PACS: 85.50.-n, 77.84.Dy, 78.40.Fy

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.