Эндотермический эффект при нагревании полупроводникового сульфида самария
Егоров В.М.1, Каминский В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
Обнаружен эффект теплопоглощения в температурной области возникновения термовольтаического эффекта в монокристалле сульфида самария (SmS). Показано, что ответственным за его появление является коллективный заброс электронов с донорных уровней в зону проводимости. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 07-08-00289) и ООО "Эс эм Эс-тензо" (Санкт-Петербург). PACS: 65.40.Ba, 72.80.Ga
- В.В. Каминский, Ю.Ф. Соломонов, В.М. Егоров, Б.И. Смирнов, И.А. Смирнов. ФТТ 18, 12, 3135 (1976)
- В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ФТТ 43, 4, 423 (2001)
- В.В. Каминский, М.М. Казанин. ЖТФ 34, 8, 92 (2008)
- А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов. Наука, Л. (1973). 304 с
- В.В. Каминский, Л.М. Васильев, М.В. Романова, С.М. Соловьев. ФТТ 43, 6, 997 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.