Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические и рентгеноструктурные исследования многослойных структур на основе твердых растворов InGaN/GaN

Усов С.О.¹, Цацульников А.Ф.¹, Заварин Е.Е.¹, Кютт Р.Н.¹, Леденцов Н.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: S.Usov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 14 октября 2008 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции высокого разрешения (HRXRD) проведено исследование многослойных структур на основе соединений In_xGa_1-xN/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Разработан способ анализа экспериментальных кривых качания многослойных структур в рамках модели Парратта-Спериози, который позволил определить толщины, период и средний состав слоев In_xGa_1-xN, а также деформацию активной области в исследуемых образцах. Локальное содержание индия было определено с использованием теоретической модели, которая описывает энергию излучения как функцию толщин слоев InGaN с учетом энергии квантового ограничения, энергий спонтанной и пьезополяризации и параметров, определенных из HRXRD. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 07-02-01246-а) и программой президиума РАН "Квантово-размерные наноструктуры". PACS: 78.55.-m, 78.67.Hc, 78.55.Cr, 78.67.De, 81.07.St, 61.05.cp, 64.75.Nx

T. Witaker. LEDs magazine. Technology and application of light emitting diodes 13, 20 (2007)
D.S. Sizov, V.S. Sizov, G.E. Onushkin, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov. Nanostructures physics and technology. St. Petersburg (2005). P. 294
С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов. ФТП 42, 2, 187 (2008)
V.S. Speriosu, T. Vreeland, Jr. J. Appl. Phys. 56, 1591 (1984)
L.G. Parratt. Phys. Rev. 95, 359 (1954)
Р.Н. Кютт, М.Л. Щеглов, В.Ю. Давыдов, А.С. Усиков. ФТП 46, 2, 353 (2004)
L. Gorgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, C. Miskys, F. Scholz, J. Off. Appl. Phys. Lett. 76, 577 (2000)
S. Pereira, M.R. Correira, T. Monteiro, E. Pereira, E. Alves, A.D. Sequeira, N. Franco. Appl. Phys. Lett. 78, 2137 (2001)
S. Pereira, M.R. Correira, E. Pereira, K.P. O'Donnell, E. Alves, A.D. Sequeira, N. Franco, I.M. Watson, C.J. Deatcher. Appl. Phys. Lett. 80, 3913 (2002)
L.T. Romano. Appl. Phys. Lett. 73, 1757 (1998)
Yen-Lin Lai, Chau-Pu Liu. Appl. Phys. Lett. 86, 121 915/1-3 (2005)
L.E. Bruce. J. Chem. Phys. 80, 4403 (1984)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mhan. Appl. Phys. Lett. 89, 5815 (2001)
U.M.E. Christmas, A.D. Andreev, D.A. Faux. J. Appl. Phys. 98, 073 522/1-12 (2005)
S.O. Usov, A.F. Tsatsul'nikov, V.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, E.M. Arakcheeva, N.N. Ledentsov. Semicond. Sci. Technol. 22, 528 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель