Рассмотрен метод генерации терагерцевого излучения, основанный на создании спектрально ограниченной инверсии населенностей между подзонами легких и тяжелых дырок в валентной зоне полупроводников. Указанная инверсия достигается помещением образца в статическое магнитное поле и накачкой его переменным электрическим полем, резонансным с циклотронной частотой тяжелых дырок. В результате при достаточно малой концентрации дырок, когда обмен энергии между ними менее эффективен, чем обмен с решеткой, происходит существенный нагрев тяжелых дырок при практически неизменной функции распределения легких дырок. Низкая концентрация дырок, однако, приводит к достаточно малому коэффициенту усиления терагерцевого поля, который может превысить его потери лишь в высококачественных алмазных образцах, практически прозрачных в терагерцевом диапазоне. Важным преимуществом рассматриваемого метода генерации терагерцевого излучения по сравнению с предложенными ранее является возможность его реализации при комнатной температуре, что значительно повышает его привлекательность для практического применения, особенно в биологии и медицине. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 08-02-00163-а, 07-02-00486-а и 09-02-00909-а) и Совета по грантам Президента РФ для государственной поддержки ведущих научных школ (грант N НШ 4485.2008.2). PACS: 07.57.Hm, 78.45.+h

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.