Кристаллы 111 ZnTe с различной плотностью двойниковых границ в направлении роста были получены при ~670^oC методом химического осаждения паров с отклонением паровой среды в сторону избытка Zn. Дефектообразование в кристаллитах конусообразной формы высотой до 5 mm с поперечными размерами 10-500 mum у основания и до 2 mm у вершины является следствием неустойчивостей, возникающих на фронте кристаллизации в результате конвективного тепло-массообмена в пересыщенной паровой среде. С помощью рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и низкотемпературной фотолюминесценции было исследовано влияние двойниковых границ на распределение химических примесей и электронный спектр ZnTe. Установлено, что быстрый низкотемпературный рост поликристаллов [111] ZnTe из паровой фазы с избыточным содержанием Zn способствует интенсивному образованию двойников двух типов - вращения и отражения. При этом некогерентная граница [111] для двойников отражения способствует сегрегации и накоплению примесных атомов. В областях кристалла с большой плотностью двойников отражения в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции обнаружены экситон-примесные комплексы (I_C и I_X), а также Y-полоса, связываемая обычно с протяженными дефектами (дислокациями, двойниками, границами кристаллитов). Дополнительные исследования показали, что I_X представляет собой излучение экситона, связанного на нейтральном изоэлектронном или заряженном дефекте, в то время как I_C определяется, по-видимому, примесью IV группы таблицы Менделеева. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проекты N 07-02-00392, 06-02-17155, 05-02-16676, 05-02-17545). PACS: 61.72.Ji, 61.72.Mm, 68.37.Hk, 71.35.-y, 71.55.Gs, 78.55.Et

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.