Исследована диэлектрическая нелинейность (зависимость диэлектрической проницаемости кристалла от величины приложенного постоянного электрического поля) узкощелевых сегнетоэлектриков-полупроводников. Рассмотренная нелинейность обусловлена нелинейностью носителей в сегнетополупроводниках, которая приводит к изменению частоты мягкой моды в поле из-за межзонного электрон-фононного взаимодействия, а в следствие этого и изменению диэлектрической проницаемости. Показано, что такая нелинейность существенно больше (по оценкам для кристалла Pb_1-xGe_xTe примерно па 2 порядка) диэлектрической нелинейности в сегнетодиэлектриках. Рассмотрен конденсатор с электрически управляемой емкостью на основе узкощелевых сегнетополупроводников; показано, что в них характерное управляющее нелинейным конденсатором напряжение существенно меньше, чем в сегнето диэлектриках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.