Теоретически исследованы зависимости интенсивности упругого рассеяния света на заряженных дефектах в сегнетоэлектриках разных типов от температуры и волнового вектора рассеяния. Рассмотрены сегнетоэлектрики с одно-, двух- и трехкомпонентным параметром порядка для случаев линейного и квадратичного электрооптического эффекта в неполярной фазе. Оценена роль двукратного рассеяния. Показано, что интенсивность упругого рассеяния на заряженных дефектах, как правило, превышает интенсивность рассеяния на точечных дефектах иной природы и существенно зависит от соотношения между радиусом экранирования Дебая r_D и обратным волновым вектором рассеяния. Обсуждена возможность определения концентрации заряженных дефектов и r_D методами рассеяния света.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.