Экситонный резонанс на уровне Ферми двумерных электронов на поверхности кремния
Алтухов П.Д., Бакун А.А., Рогачев А.А., Рубцов Г.П.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.
Усиление электронно-дырочного взаимодействия на уровне Ферми двумерных электронов на поверхности кремния при большой плотности поверхностного заряда приводит к сильному изменению спектра рекомбинационного излучения двумерных электронов и появлению новой линии на коротковолновом краю спектра.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.