В рамках адиабатического подхода рассмотрен безызлучательный многофононный переход электрона из объемной зоны в автолокализованное конденсонное состояние, порождаемое краевой дислокацией в запрещенной зоне полупроводника. Получена, зависимость вероятности захвата электрона как нейтральной (реконструированной), так и отрицательно заряженной дислокацией от температуры, константы деформационного потенциала, а также других параметров кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.