Методом ИК спектроскопии изучались структурные свойства пленок a-Si_1-xC_x : H с разным составом, полученных методом тлеющего разряда. Проведен анализ факторов, влияющих на изменение силы осциллятора различных колебаний SiH_n и СН_n групп и положения максимума соответствующих полос поглощения при изменении x. Показана связь структуры в этих пленках с плотностью материала и различными оптическими параметрами (E_g, n₀, E_y, B). Приведены зависимости E_g, n₀ от плотности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.